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3.0反向飽和電流

反向飽和電流指給PN結(jié)加一反偏電壓時，外加的電壓使得PN結(jié)的耗盡層變寬，結(jié)電場（即內(nèi)建電場）變大，電子的電勢能增加，P區(qū)和N區(qū)的多數(shù)載流子（P區(qū)多子維空穴，N區(qū)多子為電子）就很難越過勢壘，因此擴(kuò)散電流趨近于零，但是由于結(jié)電場的增加，使得N區(qū)和P區(qū)中的少數(shù)載流子更容易產(chǎn)生漂移運動，因此在這種情況下，PN結(jié)內(nèi)的電流由起支配作用的漂移電流決定。漂移電流的方向與擴(kuò)散電流的方向相反，表現(xiàn)在外電路上有一個留入N區(qū)的反向電流，它是由少數(shù)載流子的漂移運動形成的。由于少數(shù)載流子是由本征激發(fā)而產(chǎn)生的，在溫度一定的情況下，熱激發(fā)產(chǎn)生的少子數(shù)量是一定的，電流趨于恒定。

4.0 漏電流

我們都知道，太陽能電池片可以分3層，即薄層（即N區(qū)），耗盡層（即PN結(jié)），體區(qū)（即P區(qū)），對電池片而言，始終是有一些有害的雜質(zhì)和缺陷的，有些是硅片本身就有的，也有的是我們的工藝中形成的，這些有害的雜質(zhì)和缺陷可以起到復(fù)合中心的作用，可以虜獲空穴和電子，使它們復(fù)合，復(fù)合的過程始終伴隨著載流子的定向移動，必然會有微小的電流產(chǎn)生，這些電流對測試所得的暗電流的值是有貢獻(xiàn)的，由薄層貢獻(xiàn)的部分稱之為薄層漏電流，由體區(qū)貢獻(xiàn)的部分稱之為體漏電流。