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光伏四環(huán)節(jié)十大技術(shù)變革
日期:2022-01-13   [復(fù)制鏈接]
責(zé)任編輯:yutianyang_tsj 打印收藏評(píng)論(0)[訂閱到郵箱]
由于上游原材料上漲,能源成本上升,光伏在2021各環(huán)節(jié)均開始出現(xiàn)新的技術(shù)變化,背后核心矛盾是現(xiàn)有的產(chǎn)業(yè)鏈降本已到瓶頸期。

硅料新技術(shù):顆粒硅

1、原理與工藝介紹

硅料新技術(shù):顆粒硅 - 改良西門子法:目前全球主流的硅料生產(chǎn)工藝,原理是1050℃左右的硅芯上用氫氣還原三氯氫硅,生成多 晶硅沉積在硅芯上。還原工藝采用多晶硅還原爐,其將分解的硅單質(zhì)沉積在硅芯上慢慢長成硅棒,這種工藝 經(jīng)過西門子改良后基本實(shí)現(xiàn)無排放且安全性大幅提升,從而推廣?;诖?,改良西門子法是利用多晶硅還原 爐,采用氣相沉積的方式生產(chǎn)棒狀硅的工藝。

硅烷流化床法(FBR):原理是將細(xì)小的硅顆粒種子鋪在有氣孔的流化床層上,然后從下面通入硅烷,這 時(shí)硅顆粒種子具備流體特征,在加熱等反應(yīng)下,硅單質(zhì)沉積在硅顆粒種子上,生成體積較大的硅粒,通過出 料管送出流化床設(shè)備?;诖耍柰榱骰卜ㄊ抢昧骰苍O(shè)備,采用硅烷裂解的方式生產(chǎn)顆粒硅的工藝。

2、碳足跡是推進(jìn)亮點(diǎn) 全面擁抱新技術(shù)

顆粒硅的優(yōu)勢(shì):一是成本更低,重點(diǎn)關(guān)注減碳前景。顆粒硅投資強(qiáng)度、電耗、人工成本更低。2021年6月, 中能硅業(yè)拿到國內(nèi)顆粒硅首張?zhí)甲阚E證書,每千克顆粒硅碳足跡數(shù)值為20.74千克二氧化碳當(dāng)量(對(duì)標(biāo)瓦克 57.559千克)。二是投料優(yōu)勢(shì)。對(duì)于多次裝料拉晶( RCz )工藝,顆粒硅能夠減少對(duì)爐壁損傷,且流動(dòng)性更優(yōu); 對(duì)于連續(xù)拉晶(CCz)工藝,顆粒硅可以100%滿足投料需求,具備更佳的適配性。

顆粒硅的劣勢(shì):一是“碳”,即顆粒硅碳元素含量相對(duì)較高最終影響拉晶品質(zhì);根據(jù)協(xié)鑫披露目前生產(chǎn)的 顆粒硅碳含量低于0.4PPMA,達(dá)到客戶量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。二是“氫”,即顆粒硅含氫量高導(dǎo)致出現(xiàn)跳硅問題。根據(jù)江 蘇中能反饋,通過加熱后能夠?qū)溥M(jìn)行釋放,目前氫含量已降至10PPM。三是“粉”,即粉塵問題影響拉晶品 質(zhì)。

3、硅料設(shè)備市場(chǎng)空間較小,重點(diǎn)關(guān)注CCz應(yīng)用

顆粒硅產(chǎn)業(yè)進(jìn)展:目前國內(nèi)顆粒硅技術(shù)主要由保利協(xié)鑫進(jìn)行牽頭布局,2020年9月8日,公司旗下江蘇中能規(guī)劃產(chǎn)能10萬噸, 首期5.4萬噸顆粒硅項(xiàng)目開建,在原有6000噸產(chǎn)能基礎(chǔ)上進(jìn)行擴(kuò)容,2021年2月3日,公司江蘇中能徐州基地顆粒硅有效產(chǎn)能由6000 噸提升至10000噸。2021年11月18日,江蘇中能與上機(jī)數(shù)控簽訂長協(xié),期限為2022年1月1日-2026年12月31日,預(yù)計(jì)采購合同為 262億元(含稅)。

顆粒硅設(shè)備市場(chǎng)空間:顆粒硅生產(chǎn)工藝與棒狀硅完全不同,因此設(shè)備需要全部更新,主要設(shè)備為流化床、換熱器等。考慮到協(xié) 鑫顆粒硅設(shè)備已實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化,預(yù)計(jì)顆粒硅設(shè)備投資6億元/萬噸。我們預(yù)計(jì)2022年國內(nèi)顆粒硅產(chǎn)能達(dá)3萬噸,對(duì)應(yīng)市場(chǎng)空間18億元。p 重點(diǎn)關(guān)注CCz設(shè)備應(yīng)用:2020年12月,協(xié)鑫與天通股份簽訂設(shè)備采購協(xié)議,主要針對(duì)顆粒硅產(chǎn)能規(guī)模應(yīng)用;2021年1月,雙方 成立合資公司徐州鑫誠,天通持股40%。天通股份為江蘇協(xié)鑫提供308臺(tái)直拉單晶爐,用于協(xié)鑫新增的顆粒硅材料產(chǎn)能規(guī)?;瘧?yīng) 用。

硅片新技術(shù):鑄錠單晶、N型

1、鑄錠單晶:原理及優(yōu)勢(shì)介紹


鑄錠單晶(cast-mono wafer)介紹:鑄錠單晶硅片指采用多晶鑄錠爐,在常規(guī)多晶鑄錠工藝的基礎(chǔ)上加入單 晶籽晶,定向凝固后形成方型硅錠,并通過開方、切片等環(huán)節(jié),最終制成單晶硅片。鑄錠單晶的優(yōu)勢(shì):①對(duì)硅 料要求低,硅料成本是常規(guī)拉晶的一半以下;②采用多晶技術(shù),電耗更低。

鑄錠單晶的問題:①轉(zhuǎn)換效率較拉晶有所降低;②單晶出材率。協(xié)鑫是行業(yè)先行者,其于2011年發(fā)布“鑫 單晶”,此后持續(xù)完善,但尚未大規(guī)模推廣的原因是單晶出材率低,攤薄了硅料及電耗成本。2021年,以海源 復(fù)材、金陽新能源為代表的企業(yè)在傳統(tǒng)基礎(chǔ)上進(jìn)行改進(jìn),進(jìn)一步提高了出材率。

2、鑄錠單晶:不是顛覆,而是資源回收利用

鑄錠單晶是對(duì)直拉單晶的補(bǔ)充。鑄錠單晶所采用的硅料來源為四類:①直拉單晶不能使用的硅料,如頭尾 料、碎料等;②切片產(chǎn)生的廢料;③單晶硅料不能用的回料,如鍋底料;④報(bào)廢組件回收料。海源復(fù)材是目前A股鑄錠單晶龍頭,其第一大股東賽維目前已取得3萬噸回收硅料項(xiàng)目生產(chǎn)線批復(fù),預(yù)計(jì) 2022年將實(shí)現(xiàn)GW級(jí)鑄錠單晶硅片產(chǎn)能釋放。

3 鑄錠單晶:配合HJT性價(jià)比突出

硅片新技術(shù):鑄錠單晶、N型 。鑄錠單晶需要驗(yàn)證邏輯為兩點(diǎn):目前鑄錠單晶182售價(jià)為3.9元/片,較直拉單晶硅片便宜,具備明顯性價(jià)比。 但有兩個(gè)環(huán)節(jié)仍需進(jìn)一步驗(yàn)證:一是鑄錠單晶電池的效率損失是否可接受,根據(jù)協(xié)鑫及海源復(fù)材披露數(shù)據(jù), 鑄錠單晶相較于直拉單晶做成的電池效率損失在0.3-0.5%;二是鑄錠單晶的單晶出材率是否達(dá)到盈利水平。

鑄錠單晶+HJT有望對(duì)PERC進(jìn)行部分替代。根據(jù)測(cè)算,鑄錠單晶+HJT較PERC具備明顯性價(jià)比,可以同時(shí) 實(shí)現(xiàn)效率及成本優(yōu)勢(shì)。(報(bào)告來源:未來智庫)
電池新技術(shù):TOPCon、HJT、 IBC以及鈣鈦礦

1、TOPCon電池結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)

TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact,隧穿氧化層鈍化接觸)通常采用N型結(jié)構(gòu),與PERC相比 的改進(jìn)是增加了遂穿層,其包括兩層結(jié)構(gòu):一是1-2nm的超薄SiO2作為遂穿層實(shí)現(xiàn)鈍化,二是100nm的摻雜多 晶硅層形成背面的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。

優(yōu)點(diǎn):轉(zhuǎn)換效率相較于PERC更高,且能夠與PERC產(chǎn)線進(jìn)行兼容,2021年平均轉(zhuǎn)換效率超過24%。

缺點(diǎn):產(chǎn)線具備持續(xù)升級(jí)壓力;工藝較為復(fù)雜,良率相對(duì)較低。

2、TOPCon工藝介紹

TOPCon相較于PERC而言主要是兩個(gè)變化:一是N型電池結(jié)構(gòu)(正面硼擴(kuò)替代磷擴(kuò),背面高低結(jié)需要摻 磷);二是增加了隧穿層(SiO2)和多晶硅(本征poly Si)。TOPCon工藝尚未定型。主要分歧在于隧穿層及 多晶硅鍍膜工藝有所區(qū)別,目前的主流工藝是LPCVD+磷擴(kuò)。

3、TOPCon工藝:存在的問題及技術(shù)對(duì)比

TOPCon早期存在的問題主要有三點(diǎn):一是硼擴(kuò)替代磷擴(kuò)后工藝溫度更高;二是氧化隧穿及多晶硅層后容 易出現(xiàn)繞鍍,且鍍膜均勻性較差;三是離子注入設(shè)備相對(duì)較貴。隨著LPCVD、硼擴(kuò)散設(shè)備成熟、二次磷擴(kuò)替代 離子注入、通過RCA清洗或單面掩膜等方式控制繞鍍后,TOPCon的工藝趨于穩(wěn)定,且良率從早期的70-80%提 升至95%以上。

PECVD工藝優(yōu)勢(shì)明顯,目前正處于產(chǎn)業(yè)化驗(yàn)證。管式PECVD進(jìn)行原位摻雜從工藝流程來看有所節(jié)省,同 時(shí)鍍膜速度提升,且較大程度解決繞鍍問題,有望成為未來的主流工藝,目前正處于持續(xù)驗(yàn)證之中。

組件新技術(shù):串焊工藝匹配

1、設(shè)備空間:單GW投資額降至6300萬


組件設(shè)備:組件設(shè)備是指將電池片進(jìn)行串聯(lián)和并聯(lián)形成組件的設(shè)備,包括串焊機(jī)、匯流條自動(dòng)焊接機(jī)、層 壓機(jī)、削邊機(jī)、EL測(cè)試儀、全自動(dòng)裝框機(jī)、接線盒設(shè)備、清洗設(shè)備、IV測(cè)試儀。

市場(chǎng)空間:截至2020年底組件設(shè)備單GW投資額已降至6300萬元,其中串焊機(jī)設(shè)備是核心,一條250MW 的產(chǎn)線需配置4臺(tái)串焊機(jī),單臺(tái)價(jià)格在135-150萬元,即串焊機(jī)的單GW投資為2000-2400萬元,是最核心的 組件設(shè)備。預(yù)計(jì)2021年組件產(chǎn)能擴(kuò)產(chǎn)95.1GW(182+210),對(duì)應(yīng)設(shè)備市場(chǎng)空間為60億元,對(duì)應(yīng)串焊機(jī)市場(chǎng) 空間為20億元。

2、串焊機(jī)技術(shù)迭代:MBB、大尺寸、異質(zhì)結(jié) 組件新技術(shù):串焊工藝匹配


MBB影響:串焊機(jī)是將光伏電池片通過焊帶進(jìn)行串聯(lián)的設(shè)備,隨著電池尺寸的增大和主柵數(shù)量的增加, 串焊機(jī)設(shè)備將迎來升級(jí)換代需求。多主柵電池對(duì)于設(shè)備的焊接能力、精度、穩(wěn)定程度要求均有大幅的提 高,5BB升級(jí)到9BB串焊機(jī)需要更換串焊機(jī),并使用特殊的助焊劑,9BB繼續(xù)升級(jí)通過更換工裝實(shí)現(xiàn)。
大尺寸影響:串焊機(jī)需升級(jí)成為182、210型號(hào)串焊機(jī),設(shè)備需進(jìn)行更換。182串焊機(jī)可以通過改造升級(jí) 為210串焊機(jī),但無法在現(xiàn)場(chǎng)改造,且產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)不明顯,因此也以更換新機(jī)型為主。210機(jī)型不僅可以滿 足210電池生產(chǎn),同時(shí)能夠向下兼容,生產(chǎn)效率也相對(duì)更高。更為重要的是,串焊機(jī)在組件環(huán)節(jié)出現(xiàn)了 182、210兩次尺寸迭代。

HJT影響:HJT是全程低溫工藝,因此傳統(tǒng)的高溫串焊方式需要更改,針對(duì)HJT有專門串焊機(jī)設(shè)計(jì),會(huì)帶動(dòng)設(shè)備更新需求。

原標(biāo)題:光伏四環(huán)節(jié)十大技術(shù)變革
 
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來源:未來智庫、中泰證券
 
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