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晶硅PID組件系統(tǒng)端功率修復(fù)及抑制技術(shù)
日期:2015-06-11   [復(fù)制鏈接]
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經(jīng)過PID修復(fù),組件中因PID現(xiàn)象導(dǎo)致的電池片EL發(fā)黑情況也得到了修復(fù),見圖3-4。
3.jpg

A、修復(fù)前                                                                             B、修復(fù)后

圖3-4 PID修復(fù)前后EL圖像對(duì)比

3.2、PID修復(fù)需要注意的若干問題

1)接地的可靠性:組件接地的可靠性至關(guān)重要,不然可能導(dǎo)致修復(fù)失敗。

2) 環(huán)境溫濕度:一般環(huán)境溫度高,濕度高,PID修復(fù)較快;溫度低,濕度低,修復(fù)比較慢,所以在現(xiàn)場(chǎng)修復(fù)時(shí)冬天晚上會(huì)比較慢。而在室內(nèi)可使用噴霧器朝組件表面噴濕氣,這樣可以增加玻璃表面的導(dǎo)電性,玻璃面和邊框都處于等電位,加速修復(fù)進(jìn)度。但是室內(nèi)潮濕的情況下,必須注意直流電纜的絕緣性要良好以及連接頭固定處保證嚴(yán)密性,以防觸電事故。

3)組串的絕緣電阻:需要估算或測(cè)試方陣的最小絕緣電阻,并計(jì)算需要消耗的功率及輸出電流是否在設(shè)備的允許范圍。
 
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來源:來源:《光能》雜志作者:陳建國(guó)
 
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