顆粒硅
在市場(chǎng)全面押注塊狀多晶硅料的時(shí)候,保利協(xié)鑫在顆粒狀多晶硅領(lǐng)域已經(jīng)蟄伏十年。今年2月,保利協(xié)鑫宣布FBR顆粒硅產(chǎn)能由6000噸提升至1萬噸,11月保利協(xié)鑫再次宣布在既有1萬噸產(chǎn)能達(dá)產(chǎn)下, FBR顆粒硅再增2萬噸產(chǎn)能并正式投產(chǎn),頭部企業(yè)也紛紛拋出橄欖枝,隆基、中環(huán),晶澳均與保利協(xié)鑫簽顆粒硅長(zhǎng)單采購合同,市場(chǎng)對(duì)于FBR顆粒硅的討論高漲。本次會(huì)議中,保利協(xié)鑫詳盡的闡述了FBR法的生產(chǎn)流程,以及相比傳統(tǒng)西門子法,F(xiàn)BR法顆粒硅生產(chǎn)工藝降低多晶硅生產(chǎn)綜合電耗70%。具備流程短、綜合能耗低、反應(yīng)單次轉(zhuǎn)換效率高的優(yōu)勢(shì),滿足能源雙控要求,助力光伏進(jìn)入低碳新時(shí)代。
Source: 2021 CSPV_顆粒硅技術(shù)與應(yīng)用
針對(duì)拉晶過程中使用顆粒硅導(dǎo)致的“氫跳”和“刮灰”導(dǎo)致顆粒硅無法大比率投爐使用的問題,保利協(xié)鑫亦分享了相關(guān)的解決辦法,并分享了顆粒硅75%-100%替代棒狀硅后在拉晶端各根次的頭部少?壽命與使?棒狀料各根次持平,和在電池端效率與其它?家硅??平相當(dāng)?shù)男时憩F(xiàn)。
盡管目前FBR顆粒硅產(chǎn)出有限,當(dāng)前主要的用處仍被視為填充塊狀硅料的間隙,提升晶硅爐的加料量,隨著保利協(xié)鑫2022-2023年20-30萬噸顆粒硅的布局,顆粒硅的生產(chǎn)耗電量方面僅為改良西門子法的1/3,預(yù)計(jì)成本方面具有一定的優(yōu)勢(shì),值得行業(yè)期待與關(guān)注。
薄片化加速
隨著19年以來大尺寸的陸續(xù)推進(jìn),硅片厚度停留在170-180um至少3年多的時(shí)間。伴隨著今年硅料短缺與硅料價(jià)格的一路攀升,以及大尺寸設(shè)備均為近兩年來新上,薄片化推進(jìn)忽然提速,據(jù)隆基會(huì)議上分享,目前P型M10主流厚度已降至160-165um,市場(chǎng)上更薄硅片的需求也越來越多;而中環(huán)展示的薄片化技術(shù)路線圖顯示2021年G12 P型的厚度僅為160um, 近期亦聽聞不論硅片端還是電池端,均在加速G12 160um 厚度的切換工作。
Source: 2021 CSPV_隆基大尺寸高效單晶硅片技術(shù)概況及展望
Source: 2021 CSPV_G12+工業(yè)4.0引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展
大尺寸之爭(zhēng)
隨著大尺寸產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)日臻成熟,大尺寸體系降本突出,目前公認(rèn)的可降低全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)成本約0.07-0.09元/W,同時(shí)各環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)集中度提升推動(dòng)巨頭聯(lián)盟化,一體化龍頭先行,諸多因素決定尺寸升級(jí)已勢(shì)不可擋,大尺寸在2021H2市占首次超過50%并持續(xù)增加中。
自2019年后中環(huán)210和隆基18X的相繼推出,大尺寸的選擇討論一直是行業(yè)中的熱點(diǎn)話題,尤其是210陣營(yíng)600W+組件的推出,尺寸之爭(zhēng)愈演愈烈。近期配套輔料、逆變器和接線盒,以及工作溫度和熱斑問題的爭(zhēng)論已慢慢淡出,但運(yùn)輸方式和可靠性方面的爭(zhēng)論仍較激烈。
CSPV前中環(huán)推出218.2mm尺寸硅片, 盡管沒有太多的報(bào)告提及,但會(huì)中針對(duì)該尺寸的提問仍較多,其中隆基呂俊博士面對(duì)提問回答到“我們不反對(duì)大尺寸硅片,但是反對(duì)大尺寸組件”。 而5排218.2mm的組件與6排182mm的組件寬度一致,組件環(huán)節(jié)的物料多數(shù)可共用,但是218.2mm的組件為奇數(shù)排,增加的匯流條是否影響組件外觀,以及生產(chǎn)該尺寸又將面臨新一輪設(shè)備的夾具工裝改造等問題仍是電池組件廠商的主要顧慮。由于下游電池組件廠商也不樂見一再快速的進(jìn)行尺寸轉(zhuǎn)換,截止目前,仍未有電池與組件廠公開聲稱生產(chǎn)218.2mm的產(chǎn)品,218.2mm能否成為下一代尺寸標(biāo)準(zhǔn)仍有待觀望。
N型電池
隨著PERC提效進(jìn)入瓶頸期,近年來開啟了光伏電池P型向N型迭代的趨勢(shì),從而邁向更高的效率臺(tái)階,不管是研發(fā)還是量產(chǎn),N型電池技術(shù)陸續(xù)取得突破,產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程提速明顯。目前關(guān)于PERC后的下一代電池技術(shù)討論主要集中在N型TOPCon 和HJT 上,兩種電池雖然不是非此即彼的關(guān)系,但是電池效率提升和成本降低的進(jìn)步速度將決定二者誰將率先占據(jù)PERC后產(chǎn)能擴(kuò)張的高點(diǎn)。
TOPCon
會(huì)議期間,中來,晶科,東方日升,隆基以及正泰等客戶均分享了其TOPCon在量產(chǎn)方面達(dá)到24%+的效率水平,而更多的報(bào)告分享來源于TOPCon設(shè)備廠商,而TOPCon 技術(shù)路線的選擇仍為本次會(huì)議的焦點(diǎn)話題。下表根據(jù)本次會(huì)議期間設(shè)備商所展示的技術(shù)路線整理而得。
整體上,LPCVD是當(dāng)前更為成熟的一個(gè)技術(shù),但是PECVD技術(shù)更具發(fā)展?jié)摿Αa槍?duì)PECVD法鍍膜含氫量較高易薄膜的問題,通威和寧波材料所均有提及通過優(yōu)化SiH4/H2的比例、沉積溫度等工藝以及采用SiCx爆膜取代poly-Si從而降低甚至解決PECVD薄膜的問題。
另外,常規(guī)的硼摻雜均為采用BBr3或BCl3硼擴(kuò)工藝,針對(duì)當(dāng)前硼擴(kuò)工藝均勻性偏差,易形成富硼層,以及工藝耗時(shí)較長(zhǎng)等不足,寧波材料所提出PECVD沉積硼擴(kuò)散源的思路從而提升摻雜的均勻性,但是工藝耗時(shí)仍較長(zhǎng),目前該方法仍停留在研發(fā)階段,尚無可使用的產(chǎn)業(yè)化設(shè)備;而漢可亦提出用熱絲CVD摻入摻雜原子(硼 )形成源層,與推結(jié)分成2步進(jìn)行從而形成摻雜層,該思路同樣具備濃度分布均勻性好的優(yōu)勢(shì)。
HJT
目前HJT電池技術(shù)本身的發(fā)展已經(jīng)漸趨成熟,各廠商均聲稱量產(chǎn)效率達(dá)到了24.0%-24.5%的水平,而華晟CTO王文靜博士和邁為分享的通過VHF-PECVD制作微晶硅替代現(xiàn)有的非晶硅薄膜,HJT電池量產(chǎn)效率將實(shí)現(xiàn)25.0%+的水平,目前華晟和金剛玻璃均已布局該技術(shù),2022年將投入量產(chǎn)。
隨著HJT電池產(chǎn)能的逐步擴(kuò)大,組件封裝問題逐漸凸顯,由于組件端焊接封裝技術(shù)普遍停留在對(duì)PERC電池的認(rèn)知層面,同時(shí)行業(yè)仍缺乏統(tǒng)一的HJT電池測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),導(dǎo)致各電池廠商的效率以及CTM偏差相較PERC電池高出較多。
電池效率的偏差可以理解為缺乏標(biāo)準(zhǔn),相比PERC電池較低的CTM水平則來源于HJT本身的結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有焊接封裝技術(shù)的不匹配。
封裝損失 (Cell to Module loss, CTM loss)
Source: 2021 CSPV_ Reliability challenge of Amorphous/crystalline silicon heterojunction solar cell
從各位專家的分享中可看出導(dǎo)致CTM偏低的主要影響因素為:
1.邊緣損失:因?yàn)镮TO導(dǎo)電實(shí)際HJT電池片邊緣均預(yù)留部分區(qū)域不沉積ITO,導(dǎo)致實(shí)際受光面積變小。
2.激光劃片損失:劃片過程中鈍化層以及膜層會(huì)被損傷,導(dǎo)致HJT劃片損失較PERC高出0.15%以上,盡管無損切割可降低該損失,但是劃片損失仍較高,好消息是新上的HJT均為大尺寸電池預(yù)切半片,該部分損失可完全去除。
3.暗衰損失:光注入可以明顯改善開路電壓和填充因子,但是靜置后暗衰仍有0.1-0.2%,特殊的光注入技術(shù)可一定程度上抑制衰減幅度。
4.焊接和層壓另外,HJT廠商均有在嘗試推廣SMBB,主柵雖然進(jìn)一步變細(xì),但是主柵數(shù)量明顯增多,疊加高精度串焊工藝,HJT電池效率和CTM均有望獲得進(jìn)一步提高。
2.激光劃片損失:劃片過程中鈍化層以及膜層會(huì)被損傷,導(dǎo)致HJT劃片損失較PERC高出0.15%以上,盡管無損切割可降低該損失,但是劃片損失仍較高,好消息是新上的HJT均為大尺寸電池預(yù)切半片,該部分損失可完全去除。
3.暗衰損失:光注入可以明顯改善開路電壓和填充因子,但是靜置后暗衰仍有0.1-0.2%,特殊的光注入技術(shù)可一定程度上抑制衰減幅度。
4.焊接和層壓另外,HJT廠商均有在嘗試推廣SMBB,主柵雖然進(jìn)一步變細(xì),但是主柵數(shù)量明顯增多,疊加高精度串焊工藝,HJT電池效率和CTM均有望獲得進(jìn)一步提高。
銅電鍍
HJT憑借較高的效率以及工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)勢(shì)受到光伏行業(yè)的廣泛關(guān)注,但是受制于較高的生產(chǎn)成本導(dǎo)致量產(chǎn)化推進(jìn)仍較緩慢,其中金屬化環(huán)節(jié)的高成本為制約HJT發(fā)展的最大因素。銅金屬化被認(rèn)為低成本HJT太陽能電池最有可能的解決方案,盡管銅電鍍本身工藝簡(jiǎn)單且成本較低,但是配套的種子層以及掩膜制備導(dǎo)致整個(gè)銅電鍍工藝步驟較多,仍需步驟簡(jiǎn)單且低成本的量產(chǎn)化路線,同時(shí)銅替代銀之后的組件可靠性仍需進(jìn)一步確認(rèn)。
Source: 2021 CSPV_ Copper metallization of electrodes for silicon heterojunction solar cells
背接觸電池
隨著愛旭宣布布局ABC電池,其中300MW中試線已經(jīng)在建,以及傳聞行業(yè)龍頭企業(yè)也可能布局背接觸電池,不管是TOPCon 亦或HJT疊加背接觸結(jié)構(gòu),背接觸電池結(jié)構(gòu)的關(guān)注度近期持續(xù)高昂。會(huì)議期間,除了浙江大學(xué)分享了“以MoOx薄膜為鈍化減反層、基于非摻雜全背接觸的柔性單晶硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池”之外,王文靜博士也詳細(xì)分享了HBC電池的優(yōu)劣勢(shì)。雖然HBC正面無金屬化遮擋,但是HBC雙面能力較差,HBC發(fā)電能力不一定會(huì)比HJT高,另外,HBC可支持無銦技術(shù)以及對(duì)賤金屬的容忍度更高,這些優(yōu)勢(shì)導(dǎo)致HBC降本更為容易,從而得出“HBC不一定是增效的技術(shù),但或許是一種降本技術(shù)”的結(jié)論。
Source: 2021 CSPV_晶體硅太陽電池的技術(shù)進(jìn)展
另外,異質(zhì)結(jié)的高成本問題,會(huì)議期間,學(xué)術(shù)界分享了很多關(guān)于嘗試免摻雜的禁帶更寬(低寄生吸收)的過渡金屬氧化物或有機(jī)物如MoOx、WOx等代替a-Si:H (p),采用低功函數(shù)的堿金屬/堿土金屬氟化物或金屬氧化物如TiOx、LiFx等代替a-Si:H (n)),部分金屬氧化物同時(shí)兼?zhèn)溻g化層和減反射層的作用,目前該類產(chǎn)品仍停留在研發(fā)階段,期待該類產(chǎn)品早日商業(yè)化以進(jìn)一步降低異質(zhì)結(jié)產(chǎn)品的成本。
組件封裝
隨著能源結(jié)構(gòu)升級(jí)轉(zhuǎn)型的加速,光伏發(fā)電項(xiàng)目的應(yīng)用場(chǎng)景越來越多,因?yàn)閼敉猸h(huán)境的不確定性,對(duì)組件中使用材料耐候性方面的要求也是越來越高,尤其是對(duì)光伏組件長(zhǎng)期可靠性起到關(guān)鍵影響作用的封裝材料-封裝膠膜和光伏背板在耐候性,阻隔性等方面的要求更為苛刻,同時(shí),豐富的應(yīng)用場(chǎng)景也導(dǎo)致膠膜和背板的市場(chǎng)需求細(xì)分化。
封裝膠膜
當(dāng)前封裝膠膜的選擇方案主要圍繞抗PID性能,組件端層壓良率,以及性價(jià)比三方面進(jìn)行考量,綜合以上三方面,目前各類型組件的膠膜選擇大致如下:
鑒于純POE交聯(lián)速度慢,層壓工藝差,易出現(xiàn)氣泡等問題,純POE被共擠POE即EPE取代的場(chǎng)景越來越多。
關(guān)于間隙反光貼膜,會(huì)議期間斯威克有宣傳該類產(chǎn)品,間隙反光貼膜相比網(wǎng)格玻璃對(duì)功率的提升不足1%,另外該技術(shù)仍需要引進(jìn)自動(dòng)化貼膜設(shè)備,組件廠商普遍認(rèn)為投資回報(bào)率偏低,實(shí)際使用的廠商仍較少。
另外,近期各專業(yè)分析機(jī)構(gòu)均預(yù)測(cè)明年膠膜粒子供應(yīng)緊張,預(yù)計(jì)各廠家會(huì)加速搭配更細(xì)焊帶的使用以降低膠膜的克重。SMBB的導(dǎo)入預(yù)計(jì)會(huì)加速,同時(shí)分段焊帶亦或有更多的廠商嘗試以進(jìn)一步降低背面膠膜的克重。
背板
盡管近年來雙玻組件的比率不斷攀升,但是隨著戶用,工商業(yè)等分布式電站的盛行,同時(shí)透明背板亦可作為雙面組件的背面封裝材料,背板仍占有光伏組件背面封裝材料超過50%的市場(chǎng)份額。在背板演變過程中經(jīng)歷了雙面含氟膜結(jié)構(gòu)、雙面含氟結(jié)構(gòu)(單面氟膜)、雙面涂料、強(qiáng)化PET型背板、聚烯烴背板(共擠背板、E/O膜背板)等等,目前超過95%的背板產(chǎn)自中國(guó)。隨著電池片結(jié)構(gòu)、組件版型的變化,背板的定制化需求增多,市場(chǎng)需求細(xì)分化,如透明背板,網(wǎng)格背板,黑色背板, 環(huán)境友好型的無氟背板以及針對(duì)HJT開發(fā)的含鋁層背板。
Source: 2021 CSPV_新技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)下光伏背板的解決方案
非氟背板因?yàn)槟秃蛐苑矫娴念檻]以及缺乏戶外實(shí)證,盡管成本相對(duì)較低,目前僅部分分布式電站有使用,含氟結(jié)構(gòu)的背板仍為絕對(duì)的主流;
TPT/KPK由于成本較高,已逐步退出市場(chǎng),目前僅部分國(guó)企指定訂單有使用;
目前PVDF基雙面含氟背板KPC/KPf市占比最高約35%,PVF基雙面含氟背板TPC市占比約15%,賽伍報(bào)告中提及預(yù)計(jì)2022年Q3 PVDF 原材料R142b供應(yīng)有所緩和,KPf型背板價(jià)格會(huì)回落,最終比CPC/ PPf類背板高1元/m2左右;
據(jù)中來報(bào)告分享雙面涂覆型背板CPC/FPf 今年市占比約30%,由于PVDF膜原材料面臨供應(yīng)短缺和成本上漲的原因,涂覆型背板的市占比有望在2022年進(jìn)一步提高;
由于去年底玻璃大幅短缺、以及大尺寸產(chǎn)品的重量考慮,加上透明背板價(jià)格下降,去年底出現(xiàn)較多組件廠導(dǎo)入透明背板雙面組件。今年透明背板在雙面組件產(chǎn)品中的占比預(yù)估將首度突破兩成,總量約能到13GW左右。
結(jié)語
在中國(guó)大力推進(jìn)實(shí)施“3060雙碳”目標(biāo)過程中,需要不斷推廣清潔能源,提高可再生能源的應(yīng)用比例。特別是在《中共中央關(guān)于制定國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十四個(gè)五年規(guī)劃和二〇三五年遠(yuǎn)景目標(biāo)的建議》發(fā)布后,國(guó)家對(duì)于光伏等新能源的重視又提升到了新的高度。隨著光伏發(fā)電技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步,全球光伏產(chǎn)業(yè)勢(shì)必將迎來爆發(fā)式的增長(zhǎng)和發(fā)展。
原文章:CSPV 精彩回顧∣ 晶硅電池組件發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)