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 三菱電機(jī)的新型2.0kV LV100半導(dǎo)體器件基于其絕緣柵雙極晶體管（IGBT）技術(shù)和松弛陰極場(chǎng)（RFC）二極管。它專為需要 DC1500 V 至 3.3 kV 之間的“中間”電源轉(zhuǎn)換器的工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。


日本三菱電機(jī)（Mitsubishi Electric）推出了一款用于大型光伏裝置應(yīng)用的新型IGBT模塊。該公司聲稱，該設(shè)備有助于減少并網(wǎng)光伏裝置所需的逆變器數(shù)量，同時(shí)提供同時(shí)高壓運(yùn)行和低功率損耗。

2.0kV LV100 器件基于公司最新的 IGBT 技術(shù)和寬松陰極場(chǎng) （RFC） 二極管。它專為需要 DC1500 V 至 3.3 kV 之間的“中間接地”電源轉(zhuǎn)換器的工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。

“越來越多的使用可再生能源的電網(wǎng)需要越來越高的電壓功率轉(zhuǎn)換來支持DC1500 V，”三菱電機(jī)美國公司功率設(shè)備高級(jí)產(chǎn)品經(jīng)理Adam Falcsik說。“最新的工業(yè)LV100的2.0kV額定耐壓是為光伏應(yīng)用開發(fā)的，在這些應(yīng)用中，傳統(tǒng)的1.7 kV額定IGBT不足以滿足大容量系統(tǒng)的需求，并簡(jiǎn)化了DC1500 V功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)，特別是對(duì)于可再生能源。

該制造商表示，其LV100 IGBT可以更有效地將太陽能和儲(chǔ)能的電力轉(zhuǎn)換為電網(wǎng)，因?yàn)樗档土斯夥O(shè)備的整體功耗。

IGBT基于絕緣金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）柵極結(jié)構(gòu)，具有與功率MOSFET相似的架構(gòu)。它們大多基于硅，通常用于各種電子設(shè)備中的開關(guān)和放大電子信號(hào)。IGBT與MOSFET一樣具有電壓控制，但也具有雙極晶體管的輸出開關(guān)和導(dǎo)通特性。

IGBT 用于逆變器、轉(zhuǎn)換器和電源，用于雙極晶體管和 MOSFET 不理想的應(yīng)用。事實(shí)上，前者可能太貴了。

Mistubishi表示，LV100的批量生產(chǎn)將于2023年初開始。

原標(biāo)題：三菱電機(jī)推出太陽能用電源開關(guān)晶體管