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（1）TOPCon性價(jià)比突出，HJT更具想象空間
相較于HJT，TOPCon電池的主要優(yōu)勢(shì)在于產(chǎn)線兼容性好和理論極限效率高。TOPCon是在PERC工序的基礎(chǔ)上，增加了隧穿氧化層和多晶硅層制備環(huán)節(jié)，只需對(duì)原有擴(kuò)散爐和PECVD進(jìn)行改造，或者購置LPCVD，即可完成產(chǎn)線升級(jí)。根據(jù)CPIA數(shù)據(jù)，2021年新建TOPCon產(chǎn)線的投資額約為2.2億元，根據(jù)拉普拉斯數(shù)據(jù)，目前業(yè)內(nèi)單GW的PERC升級(jí)為TOPCon的投資成本約為5000-8000萬元。根據(jù)德國哈梅林太陽能研究所（ISFH）測(cè)算，雙面多晶硅鈍化TOPCon電池的理論最高效率達(dá)28.7%，高于HJT電池的27.5%，提效潛力大。
但TOPCon電池工藝繁雜，擴(kuò)硼難度較高。TOPCon的氧化層鈍化接觸制備有超過三種不同的細(xì)分工藝路線，不同廠商制備流程不統(tǒng)一，且總工序約為12-13步，所需的設(shè)備數(shù)量、人力資源、車間面積都將高于傳統(tǒng)的PERC電池。此外，TOPCon的硼擴(kuò)散難度較高，所需溫度超過900℃，且硼在硅中的固溶度低，導(dǎo)致難以得到高濃度發(fā)射區(qū)，但若硼濃度太高，則會(huì)導(dǎo)致硼原子不激活，產(chǎn)生死層。
相較于TOPCon，HJT電池的主要優(yōu)點(diǎn)在于工藝流程短、轉(zhuǎn)換效率提升空間大。HJT只需4道核心工序，所需設(shè)備較少，工藝相對(duì)簡單。HJT電池的極限轉(zhuǎn)換效率約為27.5%，雖不如TOPCon極限效率，但是未來改進(jìn)路徑較為清晰，疊加IBC和鈣鈦礦可將轉(zhuǎn)換效率進(jìn)一步提升至30%，目前隆基的HJT電池最高轉(zhuǎn)換效率已達(dá)到26.3%。此外，HJT的溫度系數(shù)更低，約為-0.25%/℃，TOPCon為-0.35%/℃，這意味著每升高一攝氏度，HJT電池效率的降低比TOPCon電池效率的降低要少0.1%左右，更適合在高溫環(huán)境下運(yùn)行。
成本是阻礙HJT大規(guī)模量產(chǎn)的最主要因素。首先，由于HJT和現(xiàn)有PERC產(chǎn)線不兼容，設(shè)備投資成本很高，據(jù)PVInfolink數(shù)據(jù)，目前HJT投資成本為4-4.5億元/GW，PERC為1.5-2億元/GW，TOPCon為2-2.5億元/GW。其次，HJT的金屬化環(huán)節(jié)需要使用電阻率較高的低溫銀漿，加上HJT雙面率較高，正反面都需要銀漿，因此銀漿單耗遠(yuǎn)大于PERC和TOPCon。第三，HJT正反面沉積TCO膜環(huán)節(jié)需要用到含銦靶材，當(dāng)前以進(jìn)口為主，盡管國產(chǎn)靶材陸續(xù)實(shí)現(xiàn)替代，但若未來HJT需求爆發(fā)，作為稀有金屬的銦價(jià)格可能會(huì)大幅上漲。2022年3月，隆基創(chuàng)造了無銦HJT電池轉(zhuǎn)換效率記錄，經(jīng)ISFH研究所認(rèn)證，轉(zhuǎn)換效率達(dá)到了25.40%，給行業(yè)提供了無銦HJT電池的可能性。
（2）TOPCon將率先占據(jù)產(chǎn)能擴(kuò)張高點(diǎn)
總結(jié)來說，TOPCon電池?fù)碛懈叩耐顿Y性價(jià)比，受到傳統(tǒng)電池片廠商青睞，而HJT的發(fā)展?jié)摿Ω?，二者并不是非此即彼的關(guān)系，效率提升速度和降本速度決定了誰將率先占據(jù)PERC后產(chǎn)能擴(kuò)張高點(diǎn)，站在當(dāng)前時(shí)間節(jié)點(diǎn)，我們認(rèn)為TOPCon有望先于HJT實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。
提效速度：Topcon效率提升速度整體快于HJT。
以主流光伏企業(yè)的效率數(shù)據(jù)為例，2020年下半年以來，不論是實(shí)驗(yàn)室效率還是量產(chǎn)效率，N型TOPCon的突破次數(shù)都更多、間隔時(shí)間都更短。當(dāng)前TOPCon量產(chǎn)線轉(zhuǎn)換效率達(dá)24%-24.5%，頭部企業(yè)量產(chǎn)平均效率突破24%；HJT產(chǎn)線整體平均效率在24%左右，國內(nèi)多條中試線上實(shí)現(xiàn)24%-24.4%的平均轉(zhuǎn)換效率。良率方面，晶科的TOPCon電池產(chǎn)品良率已經(jīng)接近PERC電池，達(dá)98%，說明隨著技術(shù)和設(shè)備的成熟，TOPCon在良率控制上也取得了較大突破。
降本速度：TOPCon已具備經(jīng)濟(jì)性，HJT成本仍有較大下降空間。
成本端，經(jīng)過測(cè)算，當(dāng)前TOPCon、HJT電池片的生產(chǎn)成本分別比PERC電池片高0.05元/W、0.15元/W。關(guān)鍵參數(shù)如下：
1）硅片：P型M10單晶硅片價(jià)格為PVInfolink于2022.4.20披露的數(shù)據(jù)，由于N型單晶硅片尚未批量供應(yīng)，價(jià)格較P型高6%-10%，存在波動(dòng)，我們假設(shè)N型M10單晶硅片價(jià)格比P型高8%。
2）銀漿：正銀國產(chǎn)化率已超過50%，背銀和低溫銀漿也初步實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化，我們根據(jù)蘇州固锝、聚和股份21年銷售數(shù)據(jù)計(jì)算得到國產(chǎn)正銀價(jià)格為5365元/kg，國產(chǎn)背銀價(jià)格為3218元/kg，國產(chǎn)低溫銀漿價(jià)格為6300元/kg；電池銀漿耗量數(shù)據(jù)來源于《中國光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線圖（2021版）》。
3）靶材：目前量產(chǎn)的HJT主要使用ITO靶材，根據(jù)山煤國際數(shù)據(jù)，ITO靶材價(jià)格為2256元/kg；HJT靶材密度大于7.1g/cm3，計(jì)算得到單片靶材耗量約35.3mg。
4）設(shè)備投資成本：根據(jù)CPIA2021年數(shù)據(jù)，單GW的PERC產(chǎn)線、TOPCon產(chǎn)線、HJT產(chǎn)線投資額分別約為1.94億元、2.2億元、4億元，假設(shè)折舊年限為8年。
5）其他成本：主要是生產(chǎn)過程中的電耗與水耗，根據(jù)CPIA數(shù)據(jù)及我國平均電價(jià)、水價(jià)測(cè)算。
收益端，與PERC組件相同規(guī)格的TOPCon組件享有0.064-0.154元/W的溢價(jià)，HJT尚無招投標(biāo)數(shù)據(jù)。N型電池片轉(zhuǎn)換效率更高，在溫度系數(shù)、抗PID能力、雙面率、年度衰減、弱光響應(yīng)等方面表現(xiàn)均優(yōu)于P型電池，因此N型組件在全生命周期內(nèi)發(fā)電量高于P型組件。此外，在建造同等規(guī)模的光伏電站時(shí)，使用N型組件可以減少組件、土地、立柱、支架、線纜和逆變器等輔件的使用量，節(jié)約光伏發(fā)電系統(tǒng)BOS成本，提高電站收益率，因而N型組件享有一定的溢價(jià)。今年以來，國家電投4.95GW、華能集團(tuán)2GW光伏組件采購招標(biāo)先后開標(biāo)，國電投項(xiàng)目中，182N型雙面雙玻組件相較同規(guī)格的P型組件最低溢價(jià)為0.064元/W，最高溢價(jià)為0.154元/W；華能項(xiàng)目并未公布N型雙面雙玻組件的采購功率，投標(biāo)的N型組件功率可能不相同，溢價(jià)范圍更大，最低為0.04元/W，最高為0.185元/W。
綜上，TOPCon組件的溢價(jià)已覆蓋電池端增量成本，今年有望成為TOPCon量產(chǎn)元年，HJT將會(huì)在其進(jìn)一步降本增效后放量。近兩年TOPCon的降本提效速度快于HJT，技術(shù)上更加成熟，當(dāng)前組件端0.064-0.154元/W的溢價(jià)能夠充分覆蓋電池端0.05元/W的增量成本，已經(jīng)具備經(jīng)濟(jì)性。若考慮將PERC產(chǎn)線改造為TOPCon產(chǎn)線，投資額僅需0.5-0.8億元/GW，PERC現(xiàn)存產(chǎn)能較大，設(shè)備大多未到折舊年限，20年以來的新建PERC產(chǎn)線多數(shù)預(yù)留了升級(jí)為TOPCon的空間，改建具備更高的經(jīng)濟(jì)性。因此TOPCon有望憑借高性價(jià)比率先實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，未來隨著TOPCon良率繼續(xù)提高、銀漿用量減少，性價(jià)比優(yōu)勢(shì)將進(jìn)一步凸顯。根據(jù)集邦咨詢統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，截至22年3月，TOPCon電池片總產(chǎn)能規(guī)劃達(dá)到162GW，其中已建產(chǎn)能17.5GW，22年待建產(chǎn)能51.5GW；HJT電池項(xiàng)目總產(chǎn)能規(guī)劃達(dá)到153.5GW，其中已建成產(chǎn)能8.11GW，22年計(jì)劃建設(shè)產(chǎn)能4.8GW。
HJT的銀漿、靶材、設(shè)備等成本明顯高于PERC及TOPCon，且目前效率并未與TOPCon有大的差距。未來隨著量產(chǎn)工藝和國產(chǎn)設(shè)備逐步成熟、國產(chǎn)銀漿和“銀包銅”技術(shù)推廣、硅片薄片化等，HJT的成本有望下降；而微晶技術(shù)的量產(chǎn)導(dǎo)入也有望使HJT產(chǎn)線平均效率實(shí)現(xiàn)25%+的突破，屆時(shí)HJT的市場份額有望得到提升。根據(jù)CPIA預(yù)測(cè)，HJT技術(shù)的市場份額將在2025年以后超過TOPCon，若HJT降本增效的速度超預(yù)期，其市場份額大幅提升的時(shí)點(diǎn)也會(huì)提早到來。
設(shè)備市場規(guī)模：到2025年TOPCon合計(jì)超300億，HJT合計(jì)超500億
設(shè)備市場規(guī)模測(cè)算邏輯：
實(shí)際累計(jì)TOPCon/HJT產(chǎn)能=累計(jì)光伏裝機(jī)量*TOPCon/HJT市場份額*TOPCon/HJT產(chǎn)能利用率
新增TOPCon/HJT產(chǎn)能=年末實(shí)際累計(jì)TOPCon/HJT產(chǎn)能-年初實(shí)際累計(jì)TOPCon/HJT產(chǎn)能
設(shè)備市場規(guī)模=新增產(chǎn)能中改造部分*單GW改造投資額+新增產(chǎn)能中新建部分*單GW新建投資額（HJT無改造部分）
關(guān)鍵假設(shè)：
累計(jì)光伏裝機(jī)量：CPIA預(yù)測(cè)樂觀情況下，到2025年累計(jì)光伏裝機(jī)量為703GW，保守情況下，到2025年累計(jì)光伏裝機(jī)量為638GW。
TOPCon改造線比例：目前以新建線為主，新建線效益完全體現(xiàn)后可能會(huì)啟動(dòng)大批量的老線改造，假設(shè)22-25年改造比例分別為10%/40%/10%/0%。
TOPCon改造線投資額：PERC產(chǎn)線改造為TOPCon產(chǎn)線，所需設(shè)備包括原來的磷擴(kuò)散更換成硼擴(kuò)散，氧化層鈍化接觸制備設(shè)備等，改造成本約為5000-6000萬/GW。
TOPCon新建線投資額：2021年為2.2億元/GW，假設(shè)22-23年降至2億元/GW，24-25年降至1.8億元/GW。
HJT新建線投資額：2021年為4億元/GW，假設(shè)22/23/24/25年分別為4/3.5/3/2.5億元/GW。
TOPCon/HJT市場份額：參考CPIA對(duì)各種電池技術(shù)市場占比變化趨勢(shì)的預(yù)測(cè)，并考慮技術(shù)成熟后產(chǎn)能擴(kuò)張加速，預(yù)計(jì)22-23年TOPCon市占率提升速度更快，24-25年HJT市占率提升速度更快，假設(shè)22/23/24/25年TOPCon的市場份額分別為10%/20%/25%/30%，HJT市場份額分別為3.75%/7.09%/15%/25%。
基于上述邏輯和假設(shè)，我們測(cè)算得到，在樂觀情況下，22-25年TOPCon設(shè)備市場規(guī)模為95.99/95.55/69.24/83.11億元，合計(jì)343.89億元；HJT設(shè)備市場規(guī)模為85/87.67/183.57/210.14億元，合計(jì)566.38億元。在保守情況下，22-25年TOPCon設(shè)備市場規(guī)模為92.01/87.83/60.89/70.51億元，合計(jì)311.24億元；HJT設(shè)備市場規(guī)模為81.25/80.31/167.38/186.1億元，合計(jì)515.04億元。
關(guān)鍵制備環(huán)節(jié)多路線并行，設(shè)備端百花齊放
TOPCon電池的核心工序存在多條技術(shù)路線。TOPCon電池的制備工序包括清洗制絨、正面硼擴(kuò)散、刻蝕去硼硅玻璃（BSG）和背結(jié)、氧化層鈍化接觸制備、正面氧化鋁/氮化硅沉積、背面氮化硅沉積、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)和測(cè)試。其中，氧化層鈍化接觸制備為TOPCon在PERC的基礎(chǔ)上增加的工序，也是TOPCon的核心工序，目前主要有4種技術(shù)路線：
（1）LPCVD本征+磷擴(kuò)。利用LPCVD設(shè)備生長氧化硅層并沉積多晶硅，再利用擴(kuò)散爐在多晶硅中摻入磷制成PN結(jié)，形成鈍化接觸結(jié)構(gòu)后進(jìn)行刻蝕。
（2）LPCVD離子注入。利用LPCVD設(shè)備制備鈍化接觸結(jié)構(gòu)，再通過離子注入機(jī)精準(zhǔn)控制磷在多晶硅中的分布實(shí)現(xiàn)摻雜，隨后進(jìn)行退火處理，最后進(jìn)行刻蝕。
（3）PECVD原位摻雜。利用PECVD設(shè)備制備隧穿氧化層并對(duì)多晶硅進(jìn)行原位摻雜。
（4）PVD原位摻雜。利用PVD設(shè)備，在真空條件下采用濺射鍍膜，使材料沉積在襯底表面。
LPCVD最為成熟，PECVD、PVD能夠解決繞鍍問題但優(yōu)缺點(diǎn)各異。LPCVD工藝路線目前較為成熟，原理是在低壓高溫狀態(tài)下使氣態(tài)化合物發(fā)生分解，進(jìn)而沉積在襯底表面形成所需薄膜。工藝控制簡單容易，成膜的均勻性好、致密度高，但成膜速率較慢，需要高溫，且石英件沉積較為嚴(yán)重，而普遍存在的繞鍍現(xiàn)象需要額外引入刻蝕設(shè)備解決，進(jìn)一步增加了工藝復(fù)雜度。不同于LPCVD使用熱能激活，PECVD利用微波、射頻等含有薄膜組成原子的氣體形成局部等離子體，憑借等離子氣體的高活性在襯底表面沉積所需的薄膜。其優(yōu)勢(shì)在于成膜速率很快，繞鍍很小，但鈍化膜的均勻性難以控制，還可能存在氣泡，導(dǎo)致鈍化效果不佳。PVD與CVD不同，采用物理沉積，不存在繞鍍現(xiàn)象，且成膜速率快，但是目前工藝較不成熟，所需設(shè)備價(jià)格昂貴，靶材用量很大，且方阻均勻性差，生成的電池質(zhì)量不穩(wěn)定。
HJT電池的制備工序包括清洗制絨、正反面沉積非晶硅膜、正反面沉積TCO膜和電極金屬化，前三道工序存在多種實(shí)現(xiàn)方式。
（1）清洗制絨：HJT是低溫工藝，在清洗環(huán)節(jié)不能采用PERC和TOPCon的高溫去除雜質(zhì)方法，目前有三種工藝：
①RCA清洗法。此方法目前較為流行，通過過氧化氫（H2O2）、氨水（NH3OH）和硝酸（HNO3）制成高濃度混合溶液對(duì)硅片進(jìn)行清洗，效果較好，但是清洗化學(xué)品耗量較大且廢液處理成本較高，每片需0.3-0.4元。日本YAC株式會(huì)社是主要供應(yīng)商。
②臭氧（O3）超純水清洗。臭氧的氧化還原勢(shì)高于H2 O2，可有效去除金屬、顆粒和有機(jī)物，而且不會(huì)增加硅片表面微粗糙度，成本較低，每片需0.16-0.2元。Singulus是O3清洗設(shè)備的主要供應(yīng)商。
③O3+H2O2清洗。捷佳偉創(chuàng)在制絨槽前的預(yù)清洗仍舊傾向H2O2，而在CP槽處理時(shí)使用了O3，該路徑成本相對(duì)較低，每片需0.22-0.3元。公司的SC-CSZT6000E-24F設(shè)備節(jié)拍約為8000片/時(shí)，uptime大于等于93%，碎片率小于等于0.05%。
（2）正反面沉積非晶硅膜：此道工序在HJT制備工藝中價(jià)值占比最高，目前市場上有PECVD和HW-CVD兩條路線：
①PECVD非晶硅薄膜沉積。PECVD的原理是借助外電場使反應(yīng)氣體電離分解形成等離子體，憑借強(qiáng)化學(xué)活性在基片上沉積出所需的薄膜，該技術(shù)路線工藝較為成熟，且鍍膜均勻性好，但是等離子體轟擊對(duì)非晶硅薄膜會(huì)造成損傷，有較高的幾率會(huì)導(dǎo)致電池的轉(zhuǎn)換效率偏低。業(yè)內(nèi)主流PECVD是板式，僅捷佳偉創(chuàng)研發(fā)出管式PECVD，但尚未規(guī)模量產(chǎn)，因此下文的分類方式均指板式PECVD：
按射頻頻率，可以分為射頻增強(qiáng)等離子體化學(xué)氣相淀積（RF-PECVD）和甚高頻等離子體化學(xué)氣相淀積（VHF-PECVD），RF-PECVD技術(shù)成熟，穩(wěn)定性好，薄膜均勻，但是速率較慢。VHF-PECVD具有高技術(shù)壁壘，沉積速率極快，能夠大幅提升生產(chǎn)效率，但是薄膜均勻性較差，且過快的沉積速度不利于對(duì)薄膜厚度的精準(zhǔn)控制，因而透光率較低。目前只有理想萬里暉使用VHF-PECVD路線，其余廠商均使用主流的RF-PECVD以保證高均勻性與透光率。
按設(shè)備結(jié)構(gòu)，可以分為線列式（鏈?zhǔn)剑F(tuán)簇式和U型。線列式傳輸過程簡單穩(wěn)定，但占地面積大；團(tuán)簇式的各腔室間沒有干擾，同時(shí)作業(yè)能處理較多硅片，產(chǎn)能較大，但傳動(dòng)系統(tǒng)復(fù)雜，傳輸過程可能造成碎片，技術(shù)壁壘較高。應(yīng)用材料和Indeotec使用的是團(tuán)簇式，其余廠商均使用線列式；理想萬里暉自主研發(fā)了U型結(jié)構(gòu)PECVD。
按等離子發(fā)射源運(yùn)作情況，可以分為靜態(tài)和動(dòng)態(tài)。靜態(tài)模式的優(yōu)點(diǎn)在于環(huán)境變化小，穩(wěn)定性較好，缺點(diǎn)在于節(jié)拍被迫增加，鍍膜時(shí)間長。動(dòng)態(tài)模式優(yōu)點(diǎn)在于制備時(shí)間較短，真空系統(tǒng)使用效率提高，產(chǎn)能更高，設(shè)備成本相對(duì)更低，缺點(diǎn)在于腔室內(nèi)可能引入氣流，從而導(dǎo)致成膜質(zhì)量不穩(wěn)定。目前，主流廠商均采用靜態(tài)PECVD，邁為股份基于兩種模式的優(yōu)點(diǎn)開發(fā)出了多腔室準(zhǔn)動(dòng)態(tài)PECVD，將腔室利用率由40%提升至70%。
②熱絲化學(xué)氣相沉積鍍膜設(shè)備（HW-CVD/Cat-CVD）。HW-CVD設(shè)備工作原理是利用分子在加熱的金屬絲上發(fā)生催化分解反應(yīng)，并在基底表面發(fā)生沉積、聚合，形成薄膜，因此也被稱為催化化學(xué)氣相沉積（Cat-CVD）。該技術(shù)路線的優(yōu)點(diǎn)是對(duì)非晶硅薄膜的轟擊和損傷小，能夠有效提高電池轉(zhuǎn)換效率，且沉積速率高，但是鍍膜均勻性較差，碎片率較高，耗電量較大。最初開發(fā)并使用HW-CVD設(shè)備的廠商是日本真空（Ulvac），目前國內(nèi)僅有捷佳偉創(chuàng)一家公司完成該設(shè)備的研發(fā)。
（3）正反面沉積TCO膜：TCO膜制備是HJT電池最大的特點(diǎn)之一，處于正面的TCO膜需要具備高透光性以降低陽光反射率，同時(shí)具備導(dǎo)電性以收集光生載流子并將其輸運(yùn)到金屬電極上，而處于背面的TCO膜則只需具備導(dǎo)電性。目前市場上有三種TCO膜制備技術(shù)路線：
①PVD磁控濺射法沉積。PVD的鍍膜原理是利用經(jīng)過加速的高能粒子轟擊靶材，使靶材表面的原子脫離晶格逸出沉積在襯底表面形成薄膜，其優(yōu)點(diǎn)在于工藝簡單，膜層均勻易控制，靶材利用率高，制造成本低，缺點(diǎn)在于沉積速率較慢，且長期轟擊靶材可能對(duì)基板產(chǎn)生破壞。目前市場主流廠商馮阿登納、梅耶博格、Singulus、Ulvac、邁為股份、鈞石能源等均采用PVD沉積TCO膜。
②RPD反應(yīng)等離子體沉積。RPD的鍍膜原理是利用特定的磁場控制等離子體的形狀，從而產(chǎn)生穩(wěn)定、均勻、高密度的等離子體轟擊靶材，靶材升華形成蒸氣實(shí)現(xiàn)薄膜沉積，其優(yōu)點(diǎn)在于離子解離率高、轟擊能量小，對(duì)非晶硅襯底的損傷小，提高了少子壽命，同時(shí)沉積速率快，溫度低，同等條件下 RPD 技術(shù)制備的 TCO 薄膜結(jié)構(gòu)更加致密、結(jié)晶度更高、表面更加光滑、導(dǎo)電性更高、光學(xué)透過率更好、轉(zhuǎn)換效率更高。缺點(diǎn)在于成本很高，靶材利用率低，且被日本住友重工壟斷專利。2018年，捷佳偉創(chuàng)取得了日本住友重工RPD設(shè)備在中國大陸地區(qū)的獨(dú)家授權(quán)，2020年成功開發(fā)出大產(chǎn)量RPD5500A設(shè)備實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)突圍。
③PAR二合一設(shè)備。此設(shè)備為捷佳偉創(chuàng)自主研發(fā)，原理是以RPD設(shè)備沉積正面透明導(dǎo)電膜，以PVD設(shè)備沉積背面透明導(dǎo)電膜，并將兩臺(tái)鍍膜設(shè)備整合至同一真空設(shè)備中，實(shí)現(xiàn)降本增效，其最新研發(fā)的PAR5500A設(shè)備uptime大于等于90%，破片率小于等于0.05%，每小時(shí)毛產(chǎn)能達(dá)5500張硅片。
原標(biāo)題：TOPCon&HJT，誰將搶占先機(jī)？
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