硼擴(kuò)：從目前的硼擴(kuò)摻雜技術(shù)來分，主要有：低壓的管式擴(kuò)散、旋涂硼源擴(kuò)散、常壓管式擴(kuò)散、離子注入+退火
1、TOPCon 成本降低的降本潛力。
回復(fù)：TOPCon成本下降的潛力很大，隨著電池制程表現(xiàn)的不斷提高，非硅成本必然會降低；另外，銀漿的耗量以及成本的下降空間也很大；投資額低導(dǎo)致整個設(shè)備的折舊成本也低；
另外，我司的硼擴(kuò)、LPCVD等關(guān)鍵設(shè)備也已經(jīng)實現(xiàn)了國產(chǎn)化，設(shè)備上也是致力于大產(chǎn)能低運(yùn)營成本，有利于推動TOPCon技術(shù)的降本工作。
2、目前業(yè)內(nèi)有哪幾家在用此技術(shù)，是否是嫁接在現(xiàn)有產(chǎn)線上還是全新產(chǎn)線？效果如何？
回復(fù)：業(yè)內(nèi)主要有中來、天合等，基本上都是全新線。另外，據(jù)了解，很多企業(yè)，新上PERC產(chǎn)線都都預(yù)留了TOPCon升級空間，目前的效率能夠達(dá)到23.5-23.8%左右，良率也基本在93%-94%左右。
另外，據(jù)了解，很多企業(yè)，新上PERC產(chǎn)線都都預(yù)留了TOPCon升級空間，目前的效率能夠達(dá)到23.3-23.5%左右，良率也基本在93%-94%左右。
3、除了N型硅片，TOPCon還需要何種新材料？供應(yīng)前景如何？
回復(fù)：TOPCon技術(shù)，N 型和P型都可以做，基本不需要新的材料，其與PERC的材料沒有明顯差異，整體材料的供應(yīng)沒有問題。
4、不同沉積方式的差別（LPCVD PEALD APECVDMAIA）；
回復(fù)：主要還是LPCVD和PECVD的差異。從目前來看的話，LPCVD的成膜質(zhì)量更好，而且其產(chǎn)能大，維護(hù)比較方便；
PECVD雖然沉積速度快，但是可能出現(xiàn)爆膜以及造成粉塵的產(chǎn)生。
5、集成原位摻雜與單獨磷注入的差別
回復(fù)：原位摻雜因為磷烷抑制了非晶硅的成膜速率，會導(dǎo)致其均勻性變差。另外它要兼容均勻性和方阻，所以控制會比較難；
而用本征來做磷擴(kuò)，兼容性會比較好，也容易控制。
6、PERC升級TOPCon工藝路線的設(shè)備成本；
回復(fù)：這個要看實際狀況，相信大家都能理解，一般GW級別目前大概在5-6千萬左右，僅供參考；
7、生產(chǎn)運(yùn)行中SIO2的厚度如何檢測？
回復(fù)：生產(chǎn)運(yùn)行中，二氧化硅的厚度是很難檢測的，其實我們也不建議在生產(chǎn)過程中做二氧化硅的檢測，可以從其他工序的監(jiān)控反應(yīng)出來，比如從方阻就可以看出來。
8、LPCVD方式的優(yōu)點、均勻性情況？
回復(fù)：LPCVD的優(yōu)點：產(chǎn)能大，易于維護(hù)，是一個比較成熟的設(shè)備；而均勻性目前可以做到433這樣水平。
9、TOPCon對漿料的要求？
回復(fù)：要求較高，從去年的整體情況看，漿料對于整體電性能提升作用很大，當(dāng)然也意味著較大的降本空間。
10、繞鍍的寬度對繞鍍清洗的影響，繞鍍清洗的難點有哪些？目前的繞鍍清洗方式有哪些。
回復(fù)：繞鍍的寬度對于繞鍍的清洗難易有關(guān)，寬度越大，清洗越困難，比如會導(dǎo)致清洗不均勻、外觀不良或者EL不良。
目前主要的繞鍍?nèi)コ绞绞撬峥毯蛪A刻。
11、正面氧化鋁鈍化之前是否還有必要增加熱氧？
回復(fù)：個人認(rèn)為不需要增加熱氧，目前來看氧化鋁的本身鈍化的效果就比較好。
12、正面氧化鋁是否可以用其他鈍化膜代替
回復(fù)：正面氧化鋁可以用其他的鈍化膜來代替，但是目前氧化鋁的本身鈍化效果就比較好，另外其工藝也比較成熟，成本也比較低。
13、對于TOPCon而言，PECVD方式氧化鋁和ALD方式氧化鋁有什么差異
回復(fù)：TOPCon在絨面的鈍化是在正面進(jìn)行，在絨面上進(jìn)行鈍化，PECVD的生長速率快，可能會導(dǎo)致鈍化效果略差于ALD。
14、TOPCon產(chǎn)線設(shè)備投資相對于PERC比較優(yōu)勢的臨界點在哪里（轉(zhuǎn)化率優(yōu)勢達(dá)到多少，設(shè)備投資額差距多少）。預(yù)計這個臨界點出現(xiàn)在什么時候。
回復(fù)：個人認(rèn)為，關(guān)鍵臨界點就在眼前，因為目前PERC的效率基本已經(jīng)到極限，而TOPCon在市場上已經(jīng)有GW級別的量產(chǎn)，整體的運(yùn)行狀況也較好，效率可以做到23.3-23.5%，良率也基本超過90%，運(yùn)營成本也在不斷降低中。
15、N-TOPCon現(xiàn)在的實際良率和量產(chǎn)效率怎么樣？現(xiàn)在國內(nèi)規(guī)模大概多少呢？另外，貴公司針對P-TOPCon方面有和國內(nèi)外企業(yè)做過研究測試嗎？大體情況如何？
回復(fù)：N-TOPCon我司實際量產(chǎn)效率在23.5-23.8，國內(nèi)的規(guī)模約4-5GW， P-TOPCon已經(jīng)有一些研究機(jī)構(gòu)已經(jīng)做出來了，效率也比較高。P型TOPCon和N型TOPCon只是電池路線差異，我司的設(shè)備均可以使用。
16、目前新建1GW的TOPCon產(chǎn)線，大約多少億。
回復(fù)：大概2.5億左右吧。最終要看各家配置。
17、新的TOPCon產(chǎn)線是否兼容166和210尺寸的電池
回復(fù)：我司的設(shè)備是可以實現(xiàn)全尺寸兼容。
18、未來兩三年N型硅片的主流尺寸和片厚會是怎樣？
回復(fù)：目前只能說大尺寸肯定是未來的趨勢。
19、PL技術(shù)在TOPCon中的應(yīng)用；
回復(fù)：PL是在TOPCon的一個標(biāo)配，對于效率異常的排查，對于效率的提升都是非常有幫助的。
20、如何在設(shè)備端和載具上解決繞鍍？
回復(fù)：我司設(shè)備的繞鍍基本控制在硅片的邊緣1cm左右，我們還在不斷努力的開發(fā)無繞鍍的設(shè)備。
21、對于多晶硅繞鍍清洗，酸堿法清洗誰更有優(yōu)勢，鏈?zhǔn)胶筒凼秸l更有優(yōu)勢；
回復(fù)：目前酸堿都能去除，最終還是要看工藝的匹配以及綜合性價比來選擇。
22、N-TOPCon擴(kuò)散工藝會使用到BBr3或BCl3氣體，請問兩者優(yōu)缺點為何？
回復(fù)：BBr3使用比較多，尤其是光伏，以說其整體的設(shè)備市場占有率較高。
BCl3的運(yùn)營成本包括BOM成本以及設(shè)備維護(hù)保養(yǎng)成本，其整體的運(yùn)營成本還是優(yōu)于BBr3。
23、TOPCon技術(shù)與現(xiàn)有組件技術(shù)能否有效兼容，比如疊片，半片，大硅片，雙面等。
回復(fù)：TOPCon能夠有效的兼容半片、疊片、大硅片以及雙面組件；
24、PERC+可以疊加TOPCon技術(shù)進(jìn)去的，另外，拉普拉斯的LP爐管壽命是多久？
回復(fù)：關(guān)于延長石英管壽命，目前有很多方法予以解決。
25、水平放片，下面那片不會有很重的舟齒?。恳驗橹亓壕o了，氣體進(jìn)不去。
回復(fù)：不會，舟印只跟石英舟的質(zhì)量或者清洗飽和工藝有關(guān)系。水平的最佳優(yōu)勢就是氣體在硅片表面的分布，而齒與齒之間也是有間距的。
26、低壓狀態(tài)下分子自由程大，如何避免水平放片下層流狀態(tài)擴(kuò)散不充分的情況？
回復(fù)：低壓狀態(tài)下分子自由程大有利于氣體分布均勻，對于水平放片對于氣流無阻擋所以壓力需求不會要求很低，對于泵的要求也沒有豎直及菱形插片高。
27、水平放片自動化設(shè)備配套情況？
回復(fù)：市面上的主流自動化廠家都能配置。
28、能否采用BBr3來代替BCl3，是否具備原位清洗功能？
回復(fù)：對于我們來說BCl3使用效果比BBR3效果好所以不會考慮替換，原位清洗功能可根據(jù)客戶需求增加。
29、硼擴(kuò)散方阻范圍和方阻均勻性？
回復(fù)：100~120ohm/squ可以做到4%/4%/3%。
30、石英件是否有做特殊涂層？使用壽命如何？
回復(fù)：有做，目前使用效果良好。
31、請問如果保證TOPCon鈍化的均勻性問題？這個均勻性直接以何種方式表現(xiàn)在電池的電性能參數(shù)上？開壓和電流的收斂性如何保證？電池串的明暗片如果控制？
回復(fù)：鈍化均勻性只要鈍化工序的均勻性做好即可，主要體現(xiàn)電性參數(shù)開壓和FF上；
開壓和電流的收斂性只要制程管控好就能保證，電池明暗片可以參考PERC/HIT。
原標(biāo)題：TOPCON 工藝提升31問
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