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由硅制成的半導(dǎo)體材料已成為許多現(xiàn)代技術(shù)的基礎(chǔ)，包括微電子計(jì)算機(jī)芯片和太陽(yáng)能電池。然而，硅導(dǎo)熱性能較差，導(dǎo)致計(jì)算機(jī)中頻現(xiàn)過(guò)熱問(wèn)題且需要昂貴的冷卻系統(tǒng)，在半導(dǎo)體領(lǐng)域并非理想首選。

近期，美國(guó)麻省理工學(xué)院、休斯敦大學(xué)等組成的科研團(tuán)隊(duì)研究證明一種立方砷化硼材料可以克服上述問(wèn)題。立方砷化硼材料除可為電子和其正電對(duì)應(yīng)物提供高遷移率之外，還具有出色的導(dǎo)熱性。研究人員稱(chēng)，目前熱量傳輸是許多電子產(chǎn)品發(fā)展的主要瓶頸，碳化硅正在取代主要電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)的電力電子產(chǎn)品硅，因?yàn)楸M管電遷移率較低，但它的導(dǎo)熱率是硅的三倍，而砷化硼導(dǎo)熱率和遷移率比硅高10倍。下一步研究的重點(diǎn)將是如何像硅一樣有效地生產(chǎn)和純化立方砷化硼材料。該研究結(jié)果發(fā)表在《科學(xué)》雜志上。

原標(biāo)題：美科研人員發(fā)現(xiàn)性能遠(yuǎn)優(yōu)于硅的半導(dǎo)體材料