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全球和國內(nèi)光伏新增裝機(jī)量快速增長，成長天花板被打開。根據(jù)CPIA預(yù)測，樂觀情況下，全球光伏年新增裝機(jī)在2022年將首次突破200GW，達(dá)到225GW的水平，到25年全球年新增裝機(jī)將達(dá)到330GW，20-25年光伏新增裝機(jī)的復(fù)合增長率達(dá)20%；2025年我國新增裝機(jī)規(guī)模將達(dá)到110GW，相當(dāng)于2020年底的3.7倍。

光伏逆變器出貨量高速增長，IGBT作為逆變器“心臟”作用凸顯。光伏逆變器是光伏系統(tǒng)的核心部件，可以將太陽能板產(chǎn)生的可變直流電轉(zhuǎn)換為交流電，并反饋回輸電系統(tǒng)或供離網(wǎng)的電網(wǎng)使用。

根據(jù)IHS Markit，近年來光伏產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展帶動光伏逆變器市場規(guī)?？焖偬嵘?020年全球光伏逆變器的市場規(guī)模為136GW，2025年將有望達(dá)到401GW，20-25年CAGR為24%。

光伏逆變器成本結(jié)構(gòu)方面，半導(dǎo)體器件和集成電路材料主要為IGBT元器件和IC半導(dǎo)體，其中以IGBT為主的半導(dǎo)體器件在驅(qū)動保護(hù)、過電流／短路保護(hù)、過溫保護(hù)、機(jī)械故障保護(hù)等方面發(fā)揮巨大作用，是逆變器的“心臟”，約占逆變器成本的12％左右。

SiC器件可有效提高光伏逆變器性能，有望逐步替代硅基IGBT成為逆變器核心。相比于硅基IGBT，SiC MOS具有更低的導(dǎo)通損耗、更低的開關(guān)損耗、無電流拖尾現(xiàn)象、高開關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)，并且可以在高溫等惡劣的環(huán)境中工作，有利于提高光伏逆變器使用壽命。

根據(jù)SiC芯觀察數(shù)據(jù)，采用SiC器件可有效提高光伏發(fā)電轉(zhuǎn)換效率，光伏逆變器的轉(zhuǎn)換效率可從硅基的96%提升至SiCMOSFET的99%以上，能量損耗降低50%以上，設(shè)備循環(huán)壽命提升50倍。未來應(yīng)用于光伏領(lǐng)域的SiC逐漸成熟，伴隨滲透率的進(jìn)一步提升，其有望逐漸替代硅基IGBT在光伏逆變器上的應(yīng)用。

國內(nèi)光伏逆變器廠商加快布局，為SiC國產(chǎn)化提供歷史性機(jī)遇。隨著中國光伏裝機(jī)量的增長，中國本土廠商加快技術(shù)與產(chǎn)品升級，在全球已占據(jù)重要位置。在出貨量排名前十的供應(yīng)商中有六家是中國供應(yīng)商，其中華為以23%的市占率位居榜首，國內(nèi)逆變器廠商在全球逆變器市場中占據(jù)超六成市場份額。

未來隨著新能源替代傳統(tǒng)燃料進(jìn)程加速，逆變器向高效率、高功率密度、高可靠性等方向發(fā)展，SiC器件有望受益于本土供應(yīng)鏈優(yōu)勢，迎來發(fā)展良機(jī)。根據(jù)SiC芯觀察數(shù)據(jù)顯示，2020年SiC光伏逆變器占比為10%，預(yù)計2035年占比將達(dá)到75%，未來空間十分廣闊。

原標(biāo)題：光伏產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，SiC應(yīng)用未來可期