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4、增加背場(chǎng)。可通過蒸鋁燒結(jié)、濃硼或濃磷擴(kuò)散的工藝在晶體硅電池上制作背場(chǎng)。如在P型材料的電池中，背面增加一層P+濃摻雜層，形成P+/P的結(jié)構(gòu)，在P+/P的界面就產(chǎn)生了一個(gè)由P區(qū)指向P+的內(nèi)建電場(chǎng)，不但可建立一個(gè)與光生電壓極性相同的內(nèi)建電場(chǎng)，提高電池的開路電壓，還能增加光生載流子的擴(kuò)散長(zhǎng)度，提高電池的短路電流，同時(shí)可降低電池背表面的復(fù)合率，提高電池的轉(zhuǎn)換效率。

5、改善襯底材料。使用高純的硅材料，可降低因晶體結(jié)構(gòu)中缺陷所導(dǎo)致的光生載流子復(fù)合。比如，使用載流子壽命長(zhǎng)、制結(jié)后硼氧反應(yīng)小、電導(dǎo)率好、飽和電流低的n型硅材料制作高效電池。

當(dāng)前高效晶硅電池生產(chǎn)技術(shù)

基于以上幾種提高晶體硅太陽(yáng)電池轉(zhuǎn)換效率的工藝，目前在業(yè)界內(nèi)應(yīng)用較為廣泛的高效晶體硅太陽(yáng)電池技術(shù)主要有：PERC電池技術(shù)、N型電池技術(shù)、IBC電池技術(shù)、MWT電池技術(shù)、HIT電池技術(shù)等。

“高效電池生產(chǎn)技術(shù)”主要技術(shù)內(nèi)容：開發(fā)電池效率達(dá)到22%以上的高效電池生產(chǎn)技術(shù)，包括重點(diǎn)背場(chǎng)鈍化（PERC）電池、金屬穿孔卷繞（MWT）電池、N型電池、異質(zhì)結(jié)電池（HIT）、背接觸電池（IBC）電池、疊層電池、雙面電池等，并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。