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碳化硅MOSFET加速應(yīng)用于光伏領(lǐng)域 增量市場(chǎng)需求望爆發(fā)
日期:2023-02-03   [復(fù)制鏈接]
責(zé)任編輯:yutianyang_tsj 打印收藏評(píng)論(0)[訂閱到郵箱]
據(jù)報(bào)道,近年來(lái),光伏逆變器制造商采用SiC MOSFET的速度越來(lái)越快。最近,又有兩家廠商在逆變器中采用了SiC MOSFET。1月30日,德國(guó)KATEK集團(tuán)宣布,其Steca太陽(yáng)能逆變器coolcept fleX系列已采用納微半導(dǎo)體的GeneSiC系列功率半導(dǎo)體,以提高效率,同時(shí)減少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于溝槽輔助平面柵極SiC MOSFET技術(shù),可以在高溫和高速下運(yùn)行,壽命最多可延長(zhǎng)3倍,適用于大功率和快速上市的應(yīng)用。1月13日,美國(guó)制造商Brek Electronics開發(fā)了采用SiC MOSFET的兩款串式逆變器,設(shè)備的功率可達(dá)到200kW和400kW,設(shè)備效率高達(dá)99%,平均故障時(shí)間也有所縮短。

SiC(碳化硅)功率器件擁有更好的開關(guān)效率并且能高效地進(jìn)行熱量積累,由SiC制造的高電壓MOSFET具有優(yōu)越的開關(guān)性能,其功能不受溫度影響,由此能很好地在升溫系統(tǒng)中保持穩(wěn)定效力。此外,SiC MOSFET也可以在具備高轉(zhuǎn)換頻率的同時(shí),擁有99%以上的逆變效率。光伏逆變器龍頭企業(yè)已開始采用碳化硅MOSFET功率器件替代硅器件,預(yù)計(jì)中長(zhǎng)期內(nèi),SiC將會(huì)成為太陽(yáng)能光伏領(lǐng)域功率器件的主要制造原料,帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈整體實(shí)現(xiàn)迭代升級(jí)。研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì),2025年SiC光伏逆變器占比將達(dá)到50%,增量市場(chǎng)需求望加速爆發(fā)。

國(guó)星光電推出的SiC MOSFET具備Si IGBT所擁有的優(yōu)勢(shì),具有更快速的開關(guān)響應(yīng),更低的損耗。公司SiC功率模塊產(chǎn)品可應(yīng)用于光伏逆變器,可依據(jù)客戶需求進(jìn)行定制化生產(chǎn)。

新潔能公司目前已推出1200V 60mohm SiC MOSFET等SiC MOSFET系列產(chǎn)品,同時(shí)通過相關(guān)電性能測(cè)試評(píng)估及可靠性考核,產(chǎn)品綜合特性達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,主要目標(biāo)市場(chǎng)是光伏逆變和汽車。

原標(biāo)題:碳化硅MOSFET加速應(yīng)用于光伏領(lǐng)域 增量市場(chǎng)需求望爆發(fā)
 
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