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TOPCon：主要缺口來(lái)自前表面

對(duì)于 TOPCon 電池來(lái)說(shuō)，基于 24.8%的電池轉(zhuǎn)換效率，主要影響效率的因素由 大到?。?. 正面復(fù)合損失，2. 光學(xué)損失，3. 正面?zhèn)鬏敁p失，4. 體復(fù)合損失，5. 背面?zhèn)?輸損失，6. 背面復(fù)合損失。由此可見(jiàn)，TOPCon 電池目前的主要效率缺口來(lái)自前表面。原因在于：

1）TOPCon 電池背表面由 SiO2、poly 硅層組成鈍化接觸結(jié)構(gòu)，而前表面僅由 Al2O3層鈍化，使用燒穿型漿料，仍存在金屬-硅基體直接接觸；

2）由于硼擴(kuò)摻雜濃度低，為了實(shí)現(xiàn)更好的接觸，正面細(xì)柵從銀漿轉(zhuǎn)變?yōu)殂y鋁漿。為達(dá)到同樣的導(dǎo)電效果，柵線(xiàn)寬度大于銀漿。

為了解決 TOPCon 電池正表面的效率損失，終極方案是在正面也做成 SiO2+poly 硅的鈍化接觸結(jié)構(gòu)。但P型TOPCon層的鈍化能力本身就弱于N型TOPCon層， 且前表面多晶硅會(huì)造成強(qiáng)烈的光學(xué)吸收。因此，目前多考慮局部 poly 層，即在正表面電極下方做一小部分 SiO2+poly 硅， 但應(yīng)用層面難度較大。

根據(jù)拉普拉斯對(duì) TOPCon 電池效率提升的路線(xiàn)圖，正面 poly 結(jié)構(gòu)（local/full） 適用于 26.5%的效率平臺(tái)。而在當(dāng)前 25%的效率基礎(chǔ)上，可以通過(guò)無(wú)損 SE 技術(shù)、薄 poly 等優(yōu)化工藝將 TOPCon 電池效率提升至 26%?；谂饠U(kuò)的技術(shù)難度，在硼擴(kuò)的基礎(chǔ)上做出 SE 相較磷擴(kuò) SE 難度更大，目前主 要發(fā)展出一次硼擴(kuò)和二次硼擴(kuò)兩種技術(shù)路線(xiàn)。

HJT：完美鈍化，主要缺口來(lái)自光學(xué)損失

與 TOPCon 電池相比，HJT 電池在正表面、背面均實(shí)現(xiàn)了鈍化接觸，因此獲得 了較高的開(kāi)路電壓（接近 750mV），明顯高于 TOPCon 電池和 PERC 電池。但正表面的非晶硅層作為一種半導(dǎo)體，存在較為嚴(yán)重的寄生吸收，造成 HJT 電 池在短路電流方面并不占優(yōu)勢(shì)。解決該問(wèn)題的思路之一在于使用微晶硅代替非晶硅，原因在于微晶的吸光系數(shù)更 小，且具有更高的電導(dǎo)率，在緩解正表面寄生吸收的同時(shí)，降低了對(duì) ITO 導(dǎo)電 性的依賴(lài)。

從工藝上來(lái)講，微晶的形成需要改變通入硅烷與氫氣的稀釋率，即更高比例的氫 氣，從而提高硅薄膜的晶化率。但稀釋率的提高通常伴隨著沉積速率的下降，引入 VHF 電源以代替?zhèn)鹘y(tǒng)的 RF 電源，有助于提高微晶薄膜沉積速率。

根據(jù)邁為股份數(shù)據(jù)，采用 VHF 電源，鍍 膜速率較 RF 電源提升 2 倍，氫氣用量較 RF 電源降低 70%左右，效率較 RF 電 源提升 0.3%以上。原因在于，頻率增加后，等離子體電子濃度增加，可以產(chǎn)生更多的自由基元，從 而提高微晶薄膜沉積速率。同時(shí)等離子體能量降低，有助于降低表面損傷。

關(guān)鍵假設(shè)：2022 年全球新增光伏裝機(jī) 230GW，我們預(yù)測(cè) 2023-25年全球新增光伏裝機(jī)350、 430、500GW，按照 1.25 倍的容配比，組件需求量為 438、538、625GW。

按 照 55%的產(chǎn)能利用率，則組件產(chǎn)能分別達(dá)到 795、977、1136GW。根據(jù)已規(guī)劃項(xiàng)目的進(jìn)展情況，我們預(yù)測(cè) TOPCon 產(chǎn)能進(jìn)入快速發(fā)展期，2023-25 年新增產(chǎn)能分別為 200、250、280 GW，HJT 需進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)設(shè)備、產(chǎn)業(yè)鏈降本， 2023-25 年新增產(chǎn)能分別為 32、54、100GW。從而帶動(dòng) TOPCon 產(chǎn)能在 2023-25 年達(dá)到 260、510、790 GW，HJT 產(chǎn)能在 2023-25 年達(dá)到 46、100、200GW。

在整體的電池產(chǎn)出中，預(yù)計(jì)2023-25年TOPCon產(chǎn)出占比為20%、35%、43.5%， HJT 產(chǎn)出占比為 5%、10%、12%，則 2023-25 年 TOPCon 電池產(chǎn)出為 88、188、 272GW，HJT 產(chǎn)出為 22、54、75GW。

隨著國(guó)產(chǎn)化率提高和單線(xiàn)產(chǎn)能提升，預(yù)計(jì)設(shè)備降本持續(xù)進(jìn)行，假設(shè) 2023-25 年 HJT 整線(xiàn)設(shè)備價(jià)格為 3.3/2.9/2.5 億元/GW，TOPCon 整線(xiàn)設(shè)備價(jià)格為 1.9 /1.7/1.5 億元/GW。TOPCon設(shè)備中，SE 能夠有效提升轉(zhuǎn)換效率，隨著該項(xiàng)技術(shù)趨于成熟，預(yù)計(jì)將從2023年開(kāi)始實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)，假設(shè)23-25年硼擴(kuò)SE滲透率為70% /80%/90%， 硼擴(kuò) SE 設(shè)備單價(jià)為 1000/800/800 萬(wàn)元/GW。則 2023-25 年，HJT 設(shè)備市場(chǎng)空間為 102.6、155.5、250.0 億元；其中 PECVD 設(shè)備市場(chǎng)空間為 51.5、77.8、125.0 億元。

TOPCon 設(shè)備市場(chǎng)空間為 370.0、420.0、420.0 億元，其中 LPCVD/PECVD 等 鍍膜設(shè)備市場(chǎng)空間為 100.0、112.5、112.0 億元，硼擴(kuò)設(shè)備市場(chǎng)空間為 44.0、 52.5、56.0 億元，激光 SE 設(shè)備市場(chǎng)空間為 14.0、16.0、20.2 億元。

原標(biāo)題：N型電池如何工藝提效？