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硅材料是半導體產(chǎn)業(yè)最基礎、最核心的材料，半導體產(chǎn)業(yè)鏈的復雜生產(chǎn)流程，也要從基礎硅材料的生產(chǎn)開始。

單晶硅

單晶硅就是單質硅的一種形態(tài)。熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅。

單晶硅具有準金屬的物理性質，有較弱的導電性，其電導率隨溫度的升高而增加，同時，單晶硅也有顯著的半導電性。超純的單晶硅是本征半導體。在超純單晶硅中摻入微量的ⅢA 族元素（如硼）可提高其導電的程度，而形成 p 型硅半導體；如摻入微量的ⅤA 族元素（如磷或砷）也可提高導電程度，形成 n 型硅半導體。

多晶硅

多晶硅是單質硅的一種形態(tài)，熔融的單質硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結合起來，就結晶成多晶硅。它不同于用于電子和太陽能電池的單晶硅，也不同于用于薄膜設備和太陽能電池的非晶硅。

二者的區(qū)別和聯(lián)系

在單晶硅中，晶體框架結構是均勻的，能夠由外部均勻的外貌來辨識。在單晶硅中，整個樣品的晶格連續(xù)不間斷，且沒有晶界。大的單晶在自然界中是極其罕見的，并且也難以在實驗室中制造（見重結晶）。相比之下，原子在無定形結構中的位置被限制為短程有序。

多晶和次晶相由數(shù)量眾多的小晶體或者微晶構成。多晶硅是一種由許多的較小硅晶構成的材料。多晶體晶胞可由一種可見的片狀金屬效應來識別紋理。半導體級也包括太陽能級多晶硅被轉換為單晶硅，意味著在多晶硅中隨機聯(lián)接的晶體轉變成了一個大的單晶。單晶硅被用于制造大多數(shù)硅基微電子設備。多晶硅能夠達到 99.9999%純度。超純多晶硅也應用在半導體工業(yè)里，比如2至3米長的多晶硅棒。在微電子業(yè)，多晶硅在宏觀尺度和微觀尺度皆有應用。單晶硅的生產(chǎn)工藝包括柴可拉斯基法、區(qū)熔和布里奇曼法。

多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質方面。在力學性質、電學性質等方面，多晶硅均不如單晶硅。多晶硅可作為拉制單晶硅的原料。

1、在力學性質、光學性質和熱學性質的各向異性方面，遠不如單晶硅明顯；

2、在電學性質方面，多晶硅晶體的導電性也遠不如單晶硅顯著，甚至于幾乎沒有導電性；

3、在化學活性方面，兩者的差異極小，一般都用多晶硅比較多。

原標題：多晶硅和單晶硅的區(qū)別