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捷佳偉創(chuàng)射頻微晶P高速率高晶化率鍍膜工藝再獲突破
日期:2023-08-03   [復制鏈接]
責任編輯:sy_oumingzhu 打印收藏評論(0)[訂閱到郵箱]
近日,捷佳偉創(chuàng)常州HJT中試線成功研發(fā)出具有行業(yè)先進水平的射頻(RF)微晶P工藝,微晶P薄膜沉積速率超過2埃/秒,同時晶化率穩(wěn)定在50%以上。常州中試線制備的基于雙面微晶12BB異質(zhì)結電池平均效率達到25.1%(德國ISFH標準),良率在98%以上。

射頻微晶P的高速高質(zhì)量沉積,一直是困擾異質(zhì)結大產(chǎn)能板式PECVD的技術難點,通過本次技術突破,捷佳偉創(chuàng)的大產(chǎn)能射頻板式PECVD預計將比市面上主流設備減少1-2個微晶P腔體。射頻微晶P設備工藝均勻性達到6%以內(nèi),穩(wěn)定性和重復性均在中試線量產(chǎn)設備上得到充分驗證,達到了行業(yè)先進技術水平。

此次射頻微晶P高速率高晶化率工藝取得突破,進一步增強了公司在HJT設備領域的競爭優(yōu)勢。捷佳偉創(chuàng)始終堅持實干與創(chuàng)新為一體,堅持 “逢山開路,遇河架橋” 的創(chuàng)新精神,積極改革設備技術、持續(xù)擴大研發(fā)范圍,為光伏行業(yè)的穩(wěn)定發(fā)展注入源動能。

原標題:捷佳偉創(chuàng)射頻微晶P高速率高晶化率鍍膜工藝再獲突破
 
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來源:東吳光伏圈
 
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