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光伏設(shè)備深度研究
日期:2023-11-29   [復(fù)制鏈接]
責(zé)任編輯:sy_luxiaoyun 打印收藏評論(0)[訂閱到郵箱]
商業(yè)模式:設(shè)備作為工業(yè)投資品是終端需求的 “二階導(dǎo)”,設(shè)備環(huán)節(jié)是由下游產(chǎn)能投資驅(qū)動的周期成長股;光伏設(shè)備的不同之處:設(shè)備技術(shù)迭代是推動光伏行業(yè)增效降本的關(guān)鍵環(huán)節(jié),較快的迭代周期使得 設(shè)備呈現(xiàn)“耗材”屬性。

設(shè)備“耗材化”對基本面的影響:成長期:技術(shù)迭代拉長設(shè)備高景氣的持續(xù)時間;市場空間及增速:每一輪技術(shù)迭代存量設(shè)備全部更新,市場空間更大,新技術(shù)變革落地爆發(fā)性極強(qiáng);競爭格局:技術(shù)引領(lǐng)持續(xù)更新,有先發(fā)優(yōu)勢的頭部企業(yè)具備較強(qiáng)議價權(quán),享受較好格局及超額盈利。

現(xiàn)狀及展望:當(dāng)前現(xiàn)狀:光伏行業(yè)仍處于成長階段,短期下游新增裝機(jī)量增速邊際放緩;未來展望:重點關(guān)注新技術(shù)變革中的結(jié)構(gòu)性成長機(jī)會,把握在新技術(shù)中搶占先機(jī)的優(yōu)質(zhì)龍頭公司。

光伏設(shè)備:一代技術(shù)、一代工藝、一代設(shè)備


降本增效驅(qū)動光伏技術(shù)快速迭代,技術(shù)迭代帶來設(shè)備持續(xù)升級 。硅片端:N型替代P型、大尺寸、薄片化、半片前置是未來發(fā)展趨勢。其中大尺寸技術(shù)滲透率85%以上,薄片化和半片技術(shù)仍在持續(xù)推進(jìn);主要受益設(shè)備包括:單晶爐(低氧單晶爐)、切割設(shè)備、金剛線(細(xì)線化、鎢絲)。

電池端:TOPCon率先放量,中期HJT有望降本放量,長期鈣鈦礦疊層電池空間廣闊。對應(yīng)新技術(shù)包括:TOPCon(LPCVD雙插、雙面PEPoly)、HJT(銅電鍍、銀包銅、激光轉(zhuǎn)印、0BB)、鈣鈦礦(涂布技術(shù)、激光技術(shù));主要受益設(shè)備:鍍膜設(shè)備、新技術(shù)相關(guān)設(shè)備等。

組件端:多主柵+無主柵+半片技術(shù)推動組件設(shè)備更新迭代。組件端新技術(shù)屬于被動迭代,主要受硅片端和電池片端技術(shù)推動,包括多/ 無主柵焊接技術(shù)、半片、三分片技術(shù)、薄片串焊技術(shù)。主要受益設(shè)備:串焊機(jī)、激光劃片機(jī)、疊片機(jī)等。

光伏設(shè)備市場空間:技術(shù)迭代帶來增量市場空間

2023年硅片設(shè)備市場規(guī)模有所下降,電池片設(shè)備空間大幅上升,組件設(shè)備規(guī)模較為穩(wěn)定 。2023年光伏新增裝機(jī)容量:PV-Infolink預(yù)期2023年全球新增裝機(jī)容量約350GW,Trendforce預(yù)期2023年全球新增光伏裝機(jī)量將達(dá)到 351GW,CPIA預(yù)計2023年光伏全球新增裝機(jī)容量約305-350GW。綜合來看,2023年光伏新增裝機(jī)容量預(yù)計350GW。

硅片設(shè)備空間:硅片設(shè)備單GW投資約1.5-2億/GW,其中單晶爐價值量占比約65%-70%,切片機(jī)占比約15%,預(yù)計2023/2024/2025年硅片設(shè) 備市場空間約263/239/188億元。
電池片設(shè)備空間:PERC設(shè)備單GW投資額約1.3-1.5億元,TOPCon設(shè)備單GW投資額約1.5-1.8億元,HJT單GW投資額約3.5-4億元左右,預(yù)計 2023/2024/2025年電池片設(shè)備市場空間約616/705/800億元。

組件設(shè)備市場空間:設(shè)備單GW投資額約0.7億元,其中串焊機(jī)價值量占比約35%,預(yù)計2023/2024/2025年組件設(shè)備市場空間約220/275/211 億元。

硅片設(shè)備

硅片設(shè)備:N型、大尺寸、薄片化為主要趨勢


硅片設(shè)備需求核心驅(qū)動力為新增裝機(jī)容量,技術(shù)迭代主要適應(yīng)硅片大尺寸、薄片化趨勢。

核心驅(qū)動力:新增光伏裝機(jī)容量、新技術(shù)變革。大尺寸:166向182、210轉(zhuǎn)變,目前182已成為主流,并向210發(fā)展;硅片大尺寸趨勢帶動設(shè)備端呈現(xiàn)大尺寸變化。
薄片化:N型硅片硅片已實現(xiàn)120-140μm量產(chǎn),部分先進(jìn)企業(yè)中試線量產(chǎn)80μm硅片,薄片化對設(shè)備加工要求更高,以及對金剛線的細(xì)線 化需求更高。

P型→N型:隨著N型電池片的快速擴(kuò)產(chǎn),N型硅片已成為未來趨勢,硅片N型化對拉晶設(shè)備、硅片設(shè)備加工精度要求更高。

拉晶環(huán)節(jié):從硅料到硅棒

核心設(shè)備:拉晶環(huán)節(jié),單晶爐為核心設(shè)備,真空泵作為單晶爐的配套設(shè)備,用于建立真空環(huán)境。

核心耗材:拉晶過程中,單晶爐里配套使用的耗材包括石英坩堝、碳碳熱場。

當(dāng)前關(guān)注點:主要關(guān)注供需,重點關(guān)注石英坩堝供應(yīng)情況、連續(xù)直拉(CCZ)工藝、顆粒硅以及低氧型單晶爐進(jìn)展。

拉晶工藝:直拉法是生產(chǎn)硅棒的主要方式

直拉法是生產(chǎn)硅棒的主要方式。拉晶是指在特定環(huán)境下,將多晶硅料生長成硅體的過程,目前硅棒生產(chǎn)主要以單晶硅棒為主。單晶硅棒主要采用直拉法或區(qū)熔法;多晶 硅棒主要采用鑄錠法形成多晶硅錠。

直拉法:光伏單晶硅棒生產(chǎn)的主要方法。通過石墨電阻加熱,將裝在坩堝中的多晶硅熔化,然后將籽晶插入熔體表面進(jìn)行熔接,經(jīng)過引 晶、放肩、轉(zhuǎn)肩、等徑、收尾等步驟,完成單晶硅棒拉制。優(yōu)點是價格便宜,可拉制直徑大、生長速率可;缺點是雜質(zhì)較高。

區(qū)熔法:利用熱能在多晶硅錠一段產(chǎn)生融區(qū),熔接單晶籽晶,通過調(diào)節(jié)溫度使得融區(qū)緩慢上移,生成單晶硅棒。區(qū)熔法不需要使用坩堝, 產(chǎn)品的純度高,雜質(zhì)少,但受生長機(jī)制的限制,區(qū)熔法通常用于生產(chǎn)8英寸以下硅棒,常用做IGBT功率半導(dǎo)體器件硅棒生產(chǎn)。

拉晶設(shè)備及耗材:單晶爐是拉晶環(huán)節(jié)的核心設(shè)備

單晶爐為拉晶環(huán)節(jié)核心設(shè)備,石英坩堝、碳碳熱場為主要耗材。直拉單晶爐:拉晶環(huán)節(jié)主設(shè)備,主要由爐體、電器部分、熱系統(tǒng)、水冷系統(tǒng)、真空系統(tǒng)和氬氣裝置組成。

石英坩堝:拉制單晶硅棒的消耗性器皿,用于盛裝熔融狀態(tài)的硅料,通常需要在一次或幾次拉晶完成后進(jìn)行更換,屬于耗材屬性。

碳碳熱場:碳碳熱場主要指碳纖維單晶爐熱場,包括坩堝、導(dǎo)流筒保溫筒、加熱器,其中坩堝的作用是承載內(nèi)層的石英坩堝;導(dǎo)流筒的 作用引導(dǎo)氣流,形成溫度梯度,提升硅棒生長的速率;保溫筒的作用是隔熱保溫,構(gòu)建熱場空間;加熱器的作用是提供熱源,熔化硅料。真空泵:用于拉晶過程中建立真空環(huán)境。

切片環(huán)節(jié)設(shè)備:切片機(jī)為核心設(shè)備,金剛線為主要耗材

多線切片機(jī)為核心設(shè)備,金剛線為主要耗材。多線切片機(jī):切片機(jī)是通過電機(jī)驅(qū)動工作輥往復(fù)運動,工件以給定的速度向下運動,使金剛石線與切割件保持一定的壓力,通過往復(fù)運 動的金剛石線達(dá)到切割的目的。

金剛線:金剛石線是通過一定的方法將金剛石微粉顆粒均勻地固結(jié)在高強(qiáng)度鋼線基體上制成的,是光伏硅片、藍(lán)寶石等硬脆材料切割過 程中所使用的耗材。

截斷機(jī)、開方機(jī)、倒磨機(jī):截斷機(jī)是使用金剛線對硅棒進(jìn)行截斷、去頭尾的設(shè)備;開方機(jī)是使用金剛線對硅棒進(jìn)行開方加工的設(shè)備;倒磨主要用于硅棒外徑滾磨以獲得精確的直徑。

清洗機(jī)、分選機(jī):清洗機(jī)用于對硅片進(jìn)行脫膠、清洗;分選機(jī)是對清洗后的硅片會被進(jìn)行不同等級的篩選。

電池片設(shè)備

電池片環(huán)節(jié):光、電損失是影響電池效率的核心因素

PN結(jié)是光伏電池的基本結(jié)構(gòu) 。光伏發(fā)電原理是利用光生伏特效應(yīng),在PN結(jié)上形成電位差。P型電池是在P型硅片里面摻入磷元素(擴(kuò)磷)形成PN結(jié),N型電池是在N 型硅片中摻入硼元素(擴(kuò)硼)形成PN結(jié)。

光學(xué)損失和電學(xué)損失是影響光伏電池轉(zhuǎn)換效率的兩大因素。

光學(xué)損失:1)電池前表面太陽光反射損失;2)金屬柵線遮擋太陽光損失。

電學(xué)損失:1)電子空穴復(fù)合損失:復(fù)合速率越低,電池效率越高;2)電阻損失:包括串聯(lián)電阻損失(硅片基體電阻、擴(kuò)散方塊電 阻、柵線電阻和接觸電阻),并聯(lián)電阻損失(硅片雜質(zhì)過多,硅片邊緣刻蝕),并聯(lián)電阻越大越好,串聯(lián)電阻越小越好。

減少光學(xué)損失和電學(xué)損失是光伏電池片技術(shù)迭代的核心邏輯 。

減少光學(xué)反射損失方法:制絨、增加減反射膜(通常為氮化硅)、改進(jìn)金屬柵線電極形狀。

降低電學(xué)損失方法:1)降低電子空穴復(fù)合速率:沉積鈍化層、增加鋁背電場、淺結(jié)設(shè)計;2)降低電阻損失:邊緣刻蝕增加并聯(lián)電 阻、SE局部高摻雜降低串聯(lián)電阻。

電池片環(huán)節(jié)趨勢:產(chǎn)業(yè)當(dāng)前從PERC轉(zhuǎn)向TOPCon、HJT階段

產(chǎn)業(yè)當(dāng)前從PERC轉(zhuǎn)向TOPCon、HJT階段。從產(chǎn)業(yè)化看,電池片經(jīng)歷了從AI-BSF到PERC,目前正向TOPCON、HJT轉(zhuǎn)變。

2015年之前,主流電池是鋁背場電池(AI-BSF),目前 基本已被淘汰;2016年,PERC電池技術(shù)逐步替代AI-BSF,成為市場主流電池技術(shù),但其轉(zhuǎn)換效率已接近上限。目前N型電池成為未 來電池發(fā)展的主要方向。

N型電池主要類型有TOPCON、HJT 、IBC。從研究方向看,鈣鈦礦疊層電池為前沿研究方向。鈣鈦礦電池是將ABX3作為吸光層制成的薄膜型太陽能電池。鈣鈦礦電池能有效地 利用紫外和藍(lán)綠可見光,晶硅電池可以有效地利用紅外光。將鈣鈦礦與HJT、IBC等晶硅電池疊層,可以更高效吸收光譜,進(jìn)一步提 升光伏電池轉(zhuǎn)換效率。

TOPCon技術(shù)變革:LPCVD雙插、雙面PE-POLY

LPCVD雙插、雙面PE-POLY或?qū)⒊蔀?TOPCon下一個技術(shù)變革點 。PECVD路線占比約53%,占比最高:目前在 建+在產(chǎn)的TOPCon產(chǎn)能中,43%的廠商選擇 了LP,主要用戶為晶科和捷泰;PECVD路線占比約53%,主要廠商包括潤陽、沐邦、 通威和天合;另有4%客戶選擇了PVD。

TOPCon激光SE技術(shù)已實現(xiàn)大幅突破,有望 進(jìn)一步提高TOPcon效率:激光SE技術(shù)相較 TOPCon二次硼擴(kuò)工藝簡單、成本低,且能夠進(jìn)一步提高效率。目前TOPCon提效大約 在 0.2% , 未 來 有 望 提 高 到 0.4% , 預(yù) 期 TOPCon激光SE技術(shù)有望快速發(fā)展,成為 TOPCon技術(shù)標(biāo)配。

LPCVD雙插、雙面POLY是未來主要技術(shù)革 新點:LPCVD雙插能夠在提高產(chǎn)能的同時 減輕繞鍍,目前晶科、捷泰、正泰正在快 速 導(dǎo) 入 ;雙面 PE-POLY 有 望 進(jìn) 一 步 提 高 TOPCon效率0.5%-1%,目前已有廠商在進(jìn)行布局,預(yù)期明年有望推向市場。

鈣鈦礦:提高穩(wěn)定性,大面積制備是當(dāng)前難點

提高穩(wěn)定性,大面積制備鈣鈦礦電池是當(dāng)前難點。穩(wěn)定性弱、難以大面積制備是制約鈣鈦礦電池產(chǎn)業(yè)化主要原因。穩(wěn)定性弱主要系鈣鈦礦是離子型的晶體,內(nèi)部缺陷較多,離子在內(nèi)部 擴(kuò)散導(dǎo)致性能下降,整體穩(wěn)定性和電池壽命較弱;難以大面積制備主要系:

1)電池面積增加后,鈣鈦礦電池串聯(lián)電阻增長明顯;2) 鈣鈦礦層大面積制備均勻性較差,目前主要有溶液涂布法和真空鍍膜法。狹縫涂布為目前鈣鈦礦層制備主流方法。溶液涂布是將液態(tài)涂布物質(zhì)涂到基底上,通過干燥固化形成鈣鈦礦層,包括狹縫涂布、刮刀 涂布、超聲噴涂和噴墨打印,其中狹縫涂布為目前主流量產(chǎn)方式。該方法優(yōu)點是成本低、設(shè)備兼容度高、原料利用率高,缺點是大面 積制備均勻性較差。

真空鍍膜能夠解決均勻性問題,目前仍有難度需要突破。真空鍍膜是在高真空環(huán)境下將靶材以氣相的形式沉積到基底,形成鈣鈦礦層, 包括蒸發(fā)鍍膜、磁控濺射鍍膜(PVD)、等離子源鍍膜(RPD),目前蒸鍍法為主流方法,該方法的優(yōu)點是大面積制備均勻性好,缺點 是目前設(shè)備成本高,鍍膜速率低,備對于鈣鈦礦層配方調(diào)整的兼容度低、目前效率記錄低于溶液法。

組件設(shè)備

組件工藝及設(shè)備:串焊機(jī)為核心設(shè)備,價值量占比約30%+

組件設(shè)備價值量:組件設(shè)備投資額約0.65億元/GW,其中串焊機(jī)、層壓機(jī)設(shè)價值量占比較高。

組件設(shè)備技術(shù)趨勢:多主柵、無主柵技術(shù)趨勢明顯

組件環(huán)節(jié)呈現(xiàn)多主柵、無主柵的技術(shù)發(fā)展趨勢,對應(yīng)帶動設(shè)備更新迭代 。無主柵:取消傳統(tǒng)的主柵,用銅絲焊帶直接連接細(xì)柵,達(dá)到匯集電流、連接電池片的目的。驅(qū)動力:降低銀漿耗量是目前降低光伏電池片成本關(guān)鍵,因此催生無主柵技術(shù)發(fā)展。

優(yōu)勢:1)節(jié)約銀漿:無主柵結(jié)構(gòu)及采用銅絲焊帶可節(jié)約銀漿;2)可實現(xiàn)低溫焊接;無主柵通常用銅絲焊帶,可實現(xiàn)最低120℃焊接, 傳統(tǒng)錫鉛合金焊帶的熔點在180℃;3)無主柵可減少正面遮擋。

無主柵技術(shù)方案:1)SmartWire;2)點膠方案;3)先焊接后點膠。

對設(shè)備的影響:1)若采用SmartWire,設(shè)備變成復(fù)合機(jī)(銅絲與薄膜復(fù)合)+新型串焊機(jī)(預(yù)壓)+層壓機(jī)(焊接);2)若點膠,需要全 新的串焊機(jī)設(shè)備。

原標(biāo)題:光伏設(shè)備深度研究
 
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