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這一濕化學(xué)法以納米特征尺度刻蝕晶片表面，從而增加了光線反射表面的次數(shù)及被晶片材料吸收的機(jī)會(huì)。該工藝使用專利性化學(xué)品，具有低成本性和可擴(kuò)展性，且極易被集成入電池生產(chǎn)線。

 

SERIS認(rèn)為，相較于“黑硅”工藝，其新工藝能給生產(chǎn)廠家提供更多的益處。表示他們的技術(shù)“更簡(jiǎn)單、更價(jià)廉，且無(wú)金屬，可以達(dá)到20%以上的電池效率”，有潛力成為被多晶硅太陽(yáng)能電池制造商廣泛使用的主流織構(gòu)技術(shù)。