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對下一代G8多晶鑄錠爐的幾點(diǎn)討論
日期:2014-05-28   [復(fù)制鏈接]
責(zé)任編輯:sara 打印收藏評論(0)[訂閱到郵箱]
摘要:目前,G6鑄錠爐是國內(nèi)光伏行業(yè)中主要的多晶鑄錠設(shè)備,然而多晶鑄錠最重要的是質(zhì)量和成本,G8的生產(chǎn)效率更高,成本更低,質(zhì)量也較好;G6多晶鑄錠設(shè)備也不斷老化,將面臨著更新?lián)Q代,因此下一代G8多晶鑄錠爐是未來的發(fā)展方向,有希望替代G6、G7。本文主要從G8鑄錠爐的性能及特點(diǎn)進(jìn)行探討。

關(guān)鍵詞:光伏 多晶硅 鑄錠 鑄錠爐 G8 

引言:近年來,為了盡快實(shí)現(xiàn)平價(jià)上網(wǎng)并能大規(guī)模應(yīng)用,上下游各個(gè)生產(chǎn)環(huán)節(jié)(硅料、晶硅、切片、電池、組件、系統(tǒng))都在不斷地進(jìn)行提高生產(chǎn)效率、降低生產(chǎn)成本、提升整體質(zhì)量。

而晶硅環(huán)節(jié)中,市場首選是利用多晶硅進(jìn)行鑄錠。

在國內(nèi),目前光伏行業(yè)內(nèi)主要的多晶鑄錠設(shè)備是G6(6×6=36塊方錠),新上或擴(kuò)建的項(xiàng)目也大多選擇G6。此外,已有部分設(shè)備制造商和研究人員對現(xiàn)有的多晶鑄錠爐進(jìn)行G7(7×7=49塊方錠)改造(比如:JYT660爐型)。多晶鑄錠最重要的是質(zhì)量和成本,因此下一代G8多晶鑄錠爐將是未來的發(fā)展方向。本文主要從G8鑄錠爐的性能及特點(diǎn)進(jìn)行探討。

1.基本指標(biāo)

目前,在行業(yè)內(nèi)主流是G6,為了便于比較,我們將相關(guān)的基本數(shù)據(jù)進(jìn)行匯總,如:石英坩堝尺寸、裝料密度、裝料量、工藝時(shí)間、能耗等,見表1。
表一
表1:鑄錠工藝基本數(shù)據(jù)和指標(biāo)
 
2.主要數(shù)據(jù)

將對G5,G6,G8鑄錠爐產(chǎn)出的硅錠主要數(shù)據(jù)(成品率、產(chǎn)能、轉(zhuǎn)換效率)進(jìn)行分析。G8鑄錠爐投料量增加,硅錠尺寸相應(yīng)加大,而頭尾及邊皮不合格區(qū)域重量(邊皮厚度差別不大)增加較少,所以硅錠成品區(qū)域(A、B、C區(qū))重量增加,成品率(利用率/成晶率)相應(yīng)提高,見圖1。
圖一
圖1.不同鑄錠爐的成品率
 
隨著市場復(fù)蘇,過剩問題正在緩解,但是,還難有根本性改觀,過剩仍很嚴(yán)重,市場競爭將更加激烈,成本和質(zhì)量才是最關(guān)鍵的考慮因素之一,在以后的競爭中,誰抓住了這兩點(diǎn)取
得了優(yōu)勢,誰就掌握了以后市場的主動(dòng)權(quán)。

采用G8,坩堝尺寸變大及鑄錠熱場改造,增加了投料量,提高了多晶硅錠成品率,而工藝時(shí)間卻相對增加不多,單臺鑄錠爐的產(chǎn)能將大幅增加,則相同的產(chǎn)能,需要生產(chǎn)硅錠的數(shù)量將更少,或者需要更少的人力成本(非硅不變)。

另外,投料量加大、工藝時(shí)間增加不多,單位主、輔材以及能耗(耗電、水、氣等)的降低,將進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本,見圖2。
圖二
圖2. 單臺鑄錠爐的月產(chǎn)能及成本
 
圖3,4 顯示,相對于G5和G6, G8硅錠C區(qū)擁有較多的中心小方錠,比例增加,且中心區(qū)域距離坩堝側(cè)壁較遠(yuǎn),鑄錠過程中受坩堝中所含雜質(zhì)的污染較少,平均硅片質(zhì)量將提高,一
般C區(qū)具有相對較高的轉(zhuǎn)換效率,有助于提升整錠的平均效率,見下圖4。
圖三
圖3. G5~G8硅錠A,B,C區(qū)的不同分布
 
圖4


圖4.G5~G8中 A.B.C區(qū)不同的占比
圖5
圖5. G5~G8中C區(qū)不同比例對整錠平均效率的影響
3.熱場和工藝調(diào)試
G5改造為G6,由于G5爐體具有足夠大的的尺寸空間,熱場較易擴(kuò)大,而G8爐體尺寸限制和熱場結(jié)構(gòu)固定,改造和工藝調(diào)試比較復(fù)雜,因此,G8鑄錠爐改造需要打破現(xiàn)有的爐型結(jié)
構(gòu)和升級路線,屬于全新的研制設(shè)計(jì)。

由于硅錠尺寸的加大,為確保硅錠熔化、長晶的固液界面、退火的均勻等,需要大尺寸熱場溫度控制穩(wěn)定技術(shù),即對熱場溫度橫向梯度有效控制,又要對垂直溫度梯度有效控制。

同時(shí),也需要先進(jìn)的定向結(jié)晶控制工藝,好的多晶鑄錠工藝可以提高爐體熱場的配套性,提高硅錠的質(zhì)量和穩(wěn)定性。G8改造后需要進(jìn)行多晶工藝調(diào)整,如:降低工藝時(shí)間,控制晶向,減少位錯(cuò)和陰影及有效排雜。

因此,G8改造過程中控制方式、冷卻方式、加熱器配置和熱場區(qū)域的布置,工藝配方都需要改動(dòng),例如:GT爐型,在結(jié)構(gòu)上底部加熱器的引入,在控制方式上加熱器分開控制;ALD爐型,在結(jié)構(gòu)上側(cè)面加熱器的引入,控制方式上冷卻的打開方式需要調(diào)整。

4.安全性

和上游硅料生產(chǎn)環(huán)節(jié)一樣,鑄錠也是高危環(huán)節(jié),在G6生產(chǎn)過程中,易發(fā)生支撐坍塌、坩堝破裂,導(dǎo)致硅液傾覆外流,爐體滴穿,甚者爆炸等嚴(yán)重事故,給企業(yè)造成了經(jīng)濟(jì)損失和人
員傷害。

相比于G5、G6,G8裝料重量大幅度增加,工藝時(shí)間會延長,溢流風(fēng)險(xiǎn)性也會相應(yīng)提高,安全性就顯得尤為重要。因此,生產(chǎn)和改造中需要提高坩堝、涂層的質(zhì)量,同時(shí)也需要加強(qiáng)支撐結(jié)構(gòu)、溢流檢測技術(shù)(快速、少量)、硅液吸收材料、防爆泄壓性能等的設(shè)計(jì)。

5.其它

G8將是個(gè)系統(tǒng)工程,需要產(chǎn)業(yè)的上、下游配套。比如:針對當(dāng)前長晶測量方式和裝置,多采用接觸式、人工,使用玻璃棒測量,記錄及反饋數(shù)據(jù),從而進(jìn)行晶體生長控制,此方法存在漏氣、斷裂、粘棒等問題;如果可以采用非接觸式測量技術(shù),利用電磁波、成像、紅外等原理,區(qū)分液體硅和固體硅,探測其高度,進(jìn)而自動(dòng)反饋測量數(shù)值,控制晶體生長,將更
加有效的輔助晶體生長工藝調(diào)整。

另外,具備G8剖切能力的開方機(jī),起吊裝置,線切機(jī)等相應(yīng)技術(shù)開發(fā)也需要跟上。

6.結(jié)論

通過以上的分析可以得知,G8的勞動(dòng)生產(chǎn)率更高,成本更低,質(zhì)量也較好,優(yōu)勢明顯。

隨著多晶鑄錠設(shè)備陸續(xù)的老化,將面臨更新?lián)Q代的需求,如果G8 較G7技術(shù)更加成熟,價(jià)格合理,那么G8將代替G7,或直接跨過G7,值得期待。

作者:韓華新能源科技有限公司 唐青崗 魏國 吳金友



 

 


 
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來源:solarzoom
 
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