編者按:山東大學(xué)郝霄鵬教授團(tuán)隊(duì)AM提出了提升金屬氧化物電化學(xué)性能的新策略,來(lái)解決氧化物材料體積膨脹和電導(dǎo)率差的問(wèn)題,此外,通過(guò)第一性原理和動(dòng)力學(xué)分析闡明電化學(xué)性能提升的機(jī)理。此項(xiàng)工作為制備其他高性能電極材料提供了理論依據(jù)和技術(shù)支撐,對(duì)促進(jìn)該類材料在儲(chǔ)能領(lǐng)域的應(yīng)用具有重要意義。
過(guò)渡金屬氧化物,因其具有比容量高、儲(chǔ)量豐富,環(huán)境友好,且易于制備易等優(yōu)點(diǎn),已成為國(guó)內(nèi)外電化學(xué)儲(chǔ)能領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。但是金屬氧化物材料導(dǎo)電性能差,在儲(chǔ)能過(guò)程中體積膨脹大,這導(dǎo)致其容量衰減快、循環(huán)穩(wěn)定性差,制約了其應(yīng)用。目前提高過(guò)渡金屬氧化物導(dǎo)電性能的主要方法是將納米金屬氧化物與高電導(dǎo)性材料(碳納米管或者石墨烯)復(fù)合。這些方法在一定程度上可以提高金屬氧化物的電導(dǎo)性能,但是其體積膨脹問(wèn)題,仍然難以解決。
過(guò)渡金屬氧化物,因其具有比容量高、儲(chǔ)量豐富,環(huán)境友好,且易于制備易等優(yōu)點(diǎn),已成為國(guó)內(nèi)外電化學(xué)儲(chǔ)能領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。但是金屬氧化物材料導(dǎo)電性能差,在儲(chǔ)能過(guò)程中體積膨脹大,這導(dǎo)致其容量衰減快、循環(huán)穩(wěn)定性差,制約了其應(yīng)用。目前提高過(guò)渡金屬氧化物導(dǎo)電性能的主要方法是將納米金屬氧化物與高電導(dǎo)性材料(碳納米管或者石墨烯)復(fù)合。這些方法在一定程度上可以提高金屬氧化物的電導(dǎo)性能,但是其體積膨脹問(wèn)題,仍然難以解決。
近日,山東大學(xué)郝霄鵬教授團(tuán)隊(duì)提出了提升金屬氧化物電化學(xué)性能的新策略,通過(guò)將等離子處理和水熱法相結(jié)合,在碳纖維表面設(shè)計(jì)構(gòu)造了一系列金屬氧化物納米線(TMO NWs),并利用氮化法在TMO NWs外表面沉積了一層過(guò)渡金屬氮氧層(FeON、CoON、NiON和VON),有效解決了TMO NWs在充放電過(guò)程中體積膨脹的問(wèn)題,并進(jìn)一步提高其導(dǎo)電性和結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。
若將該新型核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合材料應(yīng)用于超級(jí)電容器,其容量較復(fù)合之前提高了兩倍以上,循環(huán)穩(wěn)定性由原來(lái)的50%提升到94%。最后,作者結(jié)合第一性原理計(jì)算和化學(xué)動(dòng)力學(xué)過(guò)程分析,系統(tǒng)地研究了氮氧層提升材料性能的機(jī)理。該項(xiàng)工作發(fā)表在國(guó)際頂級(jí)期刊Advanced Materials上。山東大學(xué)為獨(dú)立研究單位,第一作者為王守志博士,李妍璐副教授與郝霄鵬教授為共同通訊作者。
【核心內(nèi)容】
本文的亮點(diǎn)在于發(fā)明了一種簡(jiǎn)單、高效、普適的策略制備一系列金屬氧化物/氮氧化物核殼結(jié)構(gòu)的復(fù)合材料,不僅能夠有效緩解金屬氧化物的體積膨脹問(wèn)題,還能提高材料的容量、倍率性能和循環(huán)穩(wěn)定性能。
圖1. 氧化物/氮氧層制備的示意圖(a),系列含有氮氧層的金屬氧化物(氧化鐵,氧化鈷,氧化鎳和氧化釩)的SEM(b-i)及TEM圖(j-q)
圖2. Fe,Co,Ni和V的氧化物/氮氧化物的結(jié)構(gòu)表征:XRD(a);Raman(b)和XPS(c-f)
通過(guò)復(fù)合材料的形貌表征(圖1j-1q)可以看出在金屬氧化物的表層有大概5 nm厚度的殼層,從結(jié)構(gòu)表征(Raman和XPS高分辨譜圖)可以證明復(fù)合物表面的殼層均含有M-O-N鍵(M=Fe, Co,Ni和V),充分證明成功制備出以金屬氧化物為核,其氮氧化物為殼的復(fù)合材料。
圖3. Fe,Co,Ni和V的氧化物/氮氧化物電化學(xué)性能表征:鈷基材料的CV曲線(a);TMON復(fù)合材料的CV曲線(b),GCD曲線(c),倍率性能(d),交流阻抗性能(e)以及循環(huán)性能(f)。
通過(guò)圖3a可以看出含有氮氧層的電極材料的電壓窗口(1 V)較氧化物(0.5 V)和氮化物(0.8 V)更高,有助于提高材料的能量密度(E=1/2 CV2)。此外,在同樣的掃描速率(10mV/s)條件下,含有氮氧層的復(fù)合材料的CV面積明顯較氧化物和氮化物的大,說(shuō)明其容量最大。并且從倍率性能(圖3d)、交流阻抗(圖3e)和循環(huán)穩(wěn)定性能(3f)可以明顯看出含有氮氧層的復(fù)合材料的容量、電導(dǎo)率和循環(huán)穩(wěn)定性能都比其氮化物和氧化物更加優(yōu)異。為了進(jìn)一步證明該方法具有普適性,又制備了一系列的金屬氧化物/氮氧化物材料(Fe,Co,Ni和V),從圖3b和圖3c可以看出電壓窗口均達(dá)到1V,并且在1A/g的條件下FeON,CoON,NiON和VON的容量都高達(dá)337.0, 258.0, 331.5,和275.0mAh/g。
圖4. CoON電極材料的動(dòng)力學(xué)分析和第一性原理計(jì)算:掃描速率-峰電流的對(duì)數(shù)值(a); 5mV/s條件下的擴(kuò)散控制和表面電容的貢獻(xiàn)值CV曲線(b),不同掃描速率條件下擴(kuò)散控制和表面電容的容量貢獻(xiàn)值柱狀分布圖;氧化鈷(d)和鈷氧氮(e)材料的差分電荷模擬圖,氧化鈷(f)和鈷氧氮(g)的能帶結(jié)構(gòu)和態(tài)密度圖。
圖4a是根據(jù)不同掃描速率條件下的CV曲線中電流峰值的關(guān)系(i = ανb)確定材料的b值約為0.77,這說(shuō)明了CoON材料主要是要貢獻(xiàn)是法拉第電容行為(或者是插層贗電容行為)。圖4b和4c再次證明隨著掃描速率的增大,CoON容量中的表面電容貢獻(xiàn)占主導(dǎo),結(jié)合圖4a可以得出復(fù)合材料中容量主要是氧化鈷和鈷氧氮的贗電容貢獻(xiàn)?;诘谝恍栽碛?jì)算方法我們進(jìn)一步探索了CoON材料電化學(xué)性能提升的機(jī)理。從圖4d-4e可以看出,氧化鈷在引入氮原子后,材料的結(jié)構(gòu)變化不大,但是氮原子周?chē)碾姾闪吭黾樱@有助于增大電導(dǎo)性,增強(qiáng)電解液離子吸附,從而促進(jìn)材料發(fā)生氧化還原反應(yīng)。能帶結(jié)構(gòu)計(jì)算結(jié)果(圖4f)表明,氮原子的引入使得氧化鈷的帶隙從0.78 eV降低到0.33 eV,帶隙的顯著降低可以大大提高氮氧層的電導(dǎo)性能,從態(tài)密度圖(圖4g)中看出,N 2p態(tài)的引入使得氮氧化鈷材料在費(fèi)米能級(jí)附近的電子態(tài)展寬,這同樣也是電導(dǎo)率提高的一個(gè)表現(xiàn)。
原標(biāo)題:山東大學(xué)郝霄鵬教授團(tuán)隊(duì)AM:提升過(guò)渡金屬氧化物電化學(xué)儲(chǔ)能性能的新策略