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電性能參數(shù)對(duì)于運(yùn)營現(xiàn)場人員來說，就如同人們到醫(yī)院體檢的檢查結(jié)果一樣，可以反映出制程過程中的各種問題，通過各種參數(shù)的對(duì)比分析、跟蹤，來判斷問題是否得到真正解決，今天"光伏技術(shù)”將介紹電性能異常分析方法，期待與您共同進(jìn)步。

1. 電性能偏低原因分析

1.1開路電壓UOC偏低

a. 燒結(jié)燒穿;

b. 未擴(kuò)散片;

c. 濕刻放反片;

d. PE 放反片;

e. 來料“黑心片”;

f. 污染片(工序衛(wèi)生沒搞好);

g. 合金不共融片;

h. 來料氧含量超標(biāo);

i. 微晶片。

1.2 短路電流ISC偏低

a. 燒結(jié)沒燒透(接觸電阻大);

b. 燒結(jié)燒穿;

c. 未擴(kuò)散片;

d. 來料“黑心片”;

e. PE 放反片;

f. 背面絨面拋光效果差;

g. 正面絨面效果不理想;

h. 擴(kuò)散方阻小;

i. 來料氧含量超標(biāo);

j. 絲印效果差(高寬比異常、斷柵多、虛印嚴(yán)重);

k. 濕刻放反片;

l. 微晶片。

1.3 串聯(lián)電阻RS偏大

a. 燒結(jié)沒燒透;

b. 擴(kuò)散方阻偏大;

c. 濕刻放反片;

d. 濕刻方阻上升過大;

e. 死層去除不夠干凈;

f. 測試探針接觸不良;

g. 漿料過于干燥;

h. 絲印效果差(高寬比異常、柵線粗細(xì)不均、虛印嚴(yán)重);

i. 微晶片。

1.4 并聯(lián)電阻Rsh偏小

a. 燒結(jié)燒穿;

b. 漏漿;

c. 濕刻邊緣沒完全干凈;

d. 擴(kuò)散污染;

e. 來料污染;

f. 濕刻過刻;

g. PE 放反片;

h. 微晶片。

1.5 暗電流Irev偏大

a. 燒結(jié)燒穿;

b. 漏漿;

c. 擴(kuò)散污染;

d. 來料污染;

e. 濕刻邊緣沒完全干凈;

f. 濕刻放反片;

g. PE 放反片;

h. 絲印返工片;

i. 濕刻過刻;

j. 微晶片。

2.異常原因分析

2.1燒結(jié)燒穿

測試指標(biāo)表現(xiàn)為：開路電壓偏低、短路電流偏低、并聯(lián)電阻偏小、暗電流偏大;

2.2 PE 放反片

測試指標(biāo)表現(xiàn)為：開路電壓偏低、短路電流偏低、并聯(lián)電阻偏小、暗電流偏大;

2.3 來料“黑心片”

測試指標(biāo)表現(xiàn)為：開路電壓偏低、短路電流偏低、并聯(lián)電阻偏小、暗電流偏大;

2.4 擴(kuò)散污染片

測試指標(biāo)表現(xiàn)為：開路電壓偏低、短路電流偏低、并聯(lián)電阻偏小、暗電流偏大;

2.5 正銀漿料污染片

測試指標(biāo)表現(xiàn)為：開路電壓偏低、短路電流偏低、并聯(lián)電阻偏小、暗電流偏大;



a. 備注說明：正常是指指標(biāo)變化相對(duì)小，異常是指指標(biāo)變化相對(duì)大。

b. 使用檢測設(shè)備：四探針測試儀 和 EL-C。

c. 分析判斷方法：

1. 首先用四探針測試電池片背面沒有印上漿料的地方，看其方阻是否正常，當(dāng)方阻在 50 左右時(shí)，可以判斷為PE 放反;

2. 如果方阻正常，則用EL 進(jìn)行正偏和反偏測試，根據(jù)圖案形狀來做判斷，如果圖像是以電池片中心，出現(xiàn)橢圓或近圓狀暗色圖形的，一般可判為來料“黑心”片;

3. 如果顯示暗色的出現(xiàn)在印刷柵線重合地方，可認(rèn)為是燒結(jié)燒穿或者是正銀漿料污染;

4. 如果出現(xiàn)雜亂的，或者出現(xiàn)點(diǎn)狀暗淡的圖形或者在晶界邊緣，一般可認(rèn)為是擴(kuò)散污染片。

2.6未擴(kuò)散片

測試指標(biāo)表現(xiàn)為：開路電壓偏低、短路電流偏低;

2.7 氧含量超標(biāo)

測試指標(biāo)表現(xiàn)為：開路電壓偏低、短路電流偏低;


a. 備注說明：正常是指指標(biāo)變化相對(duì)小，異常是指指標(biāo)變化相對(duì)大。

b. 使用檢測設(shè)備：用EL-C;

c. 分析判斷方法：

1. 直接用EL-C 測試電池片，如果正反偏圖象顯示為全黑的，可認(rèn)為是未擴(kuò)散片;

2. 如果圖象均勻跟正常片沒什么區(qū)別，只是顏色偏淡，一般認(rèn)為是光譜響應(yīng)不夠,也可以用D8儀來測試其反射率;

3. 對(duì)于氧含量超標(biāo)用專門檢測設(shè)備來判定,不過由于缺乏設(shè)備,我們可以按上面的順序來排查確定;

2.8 濕刻放反片

測試指標(biāo)表現(xiàn)為：開路電壓偏低、短路電流偏低、串聯(lián)電阻偏大、暗電流偏大;



a. 備注說明：正常是指指標(biāo)變化相對(duì)小，異常是指指標(biāo)變化相對(duì)大。

b. 使用檢測設(shè)備：用EL-C;

c. 分析判斷方法：

用EL-C正偏測試，如果圖象顯示的是中間偏暗，而片子四周顯示的偏亮，反片圖象均勻，偏暗;(這是因?yàn)榉欧吹钠铀闹苡蠵N 結(jié),而中間沒有)所以可判定為放反片;

2.9 合金不共融片

測試指標(biāo)表現(xiàn)為：開路電壓偏低、短路電流偏低、串聯(lián)電阻偏大;



a. 備注說明：正常是指指標(biāo)變化相對(duì)小，異常是指指標(biāo)變化相對(duì)大。

b. 使用檢測設(shè)備：用EL-C;

c. 分析判斷方法：

使用破壞測試，先沿著柵線處斷開，然后用EL-C 測試柵線與氮化硅膜接觸面，利用圖象來分析判斷，如果柵線內(nèi)部結(jié)合不緊湊有空洞，接觸面能明顯分離，沒有緊密接觸，可認(rèn)為是燒結(jié)不透;

2.10 微晶片

測試指標(biāo)表現(xiàn)為：開路電壓偏低;串聯(lián)電阻偏大、并聯(lián)電阻偏小、暗電流偏大;


a. 備注說明：正常是指指標(biāo)變化相對(duì)小，異常是指指標(biāo)變化相對(duì)大。

b. 使用檢測設(shè)備：WT-2000 、EL-C;

c. 分析判斷方法：

用EL-C 測試電池片，其圖像一般都是在某個(gè)局部有一塊地方出現(xiàn)偏暗的，(跟漏電圖像大體相似)但仔細(xì)觀察，里面分布不一樣，如果是微晶片，其圖像四周有一部分出現(xiàn)密集的星點(diǎn)分布狀，而偏暗內(nèi)部就幾乎不出現(xiàn)星點(diǎn)出現(xiàn)。(漏電的則有稀疏的星點(diǎn));

2.11 背面絨面拋光效果差

測試指標(biāo)表現(xiàn)為：短路電流偏低;


2.12 正面絨面效果不理想

測試指標(biāo)表現(xiàn)為：短路電流偏低;

2.13 擴(kuò)散方阻小

測試指標(biāo)表現(xiàn)為：短路電流偏低;

2.14 絲印效果差(高寬比異常、柵線粗細(xì)不均、虛印嚴(yán)重)

測試指標(biāo)表現(xiàn)為：短路電流偏低;

a. 備注說明：正常是指指標(biāo)變化相對(duì)小，異常是指指標(biāo)變化相對(duì)大。

b. 使用檢測設(shè)備：用EL-C

c. 分析判斷方法：

用EL-C 進(jìn)行測試，可以根據(jù)圖像來判定其類型，如果背面圖像的絨面刻粒過大可劃為拋光效果差;如果正面圖像的絨面大小,均勻性等不在我們工藝控制要求內(nèi)的可作為效果不理想;

如果看柵線圖像可以判斷印刷質(zhì)量，就可以判斷其絲印效果;對(duì)于方阻小的就要進(jìn)行破壞測試，先去除氮化硅膜，然后測試方阻來確定;

2.15 濕刻過刻

測試指標(biāo)表現(xiàn)為：短路電流偏小、串聯(lián)電阻偏大、并聯(lián)電阻偏小、暗電流偏大;


a. 備注說明：正常是指指標(biāo)變化相對(duì)小，異常是指指標(biāo)變化相對(duì)大。

b. 使用檢測設(shè)備：用EL-C;

c. 分析判斷方法：

用EL-C 測試電池片，其正偏圖像剛好跟放反片相反，中間偏亮，而四周偏暗(一般偏暗距離邊緣的尺寸大于2mm);

2.16 死層去除不干凈

測試指標(biāo)表現(xiàn)為：串聯(lián)電阻偏大、短路電流偏低;

2.17 測試探針接觸不良

測試指標(biāo)表現(xiàn)為：串聯(lián)電阻偏大;短路電流偏低;

2.18 漿料過于干燥

測試指標(biāo)表現(xiàn)為：串聯(lián)電阻偏大;短路電流偏低;


a. 備注說明：正常是指指標(biāo)變化相對(duì)小，異常是指指標(biāo)變化相對(duì)大。

b. 使用檢測設(shè)備：其他設(shè)備(暫時(shí)沒有)

c. 分析判斷方法：

根據(jù)我們工藝參數(shù)來測算我們的網(wǎng)版設(shè)計(jì)，和現(xiàn)場檢查操作控制有無異常來做判斷;

2.19 漏漿

測試指標(biāo)表現(xiàn)為：并聯(lián)電阻偏小、暗電流偏大;

2.20 濕刻邊緣沒完全干凈

測試指標(biāo)表現(xiàn)為：并聯(lián)電阻偏小、暗電流偏大;



a. 備注說明：正常是指指標(biāo)變化相對(duì)小，異常是指指標(biāo)變化相對(duì)大。

b. 使用檢測設(shè)備：用冷熱探針或者萬用表

c. 分析判斷方法：

先觀察片子四周有無明顯的漏漿現(xiàn)象，二是用冷熱探針或者萬用表來測試片子四周邊緣，看其是否有異常來判斷;

2.21 絲印返工片

測試指標(biāo)表現(xiàn)為：暗電流偏大;


a. 備注說明：正常是指指標(biāo)變化相對(duì)小，異常是指指標(biāo)變化相對(duì)大。

b. 使用檢測設(shè)備：萬用表

c. 分析判斷方法：

查看操作記錄，判斷該片是否在印刷過程中返工，二是用萬用表來測試四周邊緣地方電阻是否正常來判斷;

3. 結(jié)論總結(jié)

對(duì)于電性能異常的片子，其測試內(nèi)容指標(biāo)都有所變化，只是有個(gè)別指標(biāo)變化特別明顯。我們分析突破缺口以最大指標(biāo)變化的數(shù)據(jù)為目標(biāo)。


原標(biāo)題： PERC電池電性能問題分析方法