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三維（3D）多孔石墨烯可以防止石墨烯片的重新堆積，使離子容易進入和擴散，這為填補石墨烯的實驗室研究和工業(yè)化之間的空白提供了可能。然而，高效合成宏觀厚三維多孔石墨烯薄膜仍然是一個挑戰(zhàn)。

一種通過高能電子束誘導快速、直接合成宏觀厚三維多孔石墨烯的新策略

中科院合肥研究院固體物理研究所王振洋研究員課題組首次通過高能電子束在聚酰亞胺（PI）上的誘導，直接合成三維石墨烯。由于高動能和低反射的特點，電子束的能量很容易被吸收，導致PI的碳化，形成具有豐富的三維孔隙結構和理想的1100 S m-1導電性的宏觀厚石墨烯薄膜（0.66毫米）。

同時，少層結構、低缺陷、高質量和快速的合成速度（84 cm2 min-1），使得獲得的電子束誘導石墨烯（EIG）薄膜具有大規(guī)模應用的潛力。EIG在儲能和光熱除冰方面的性能已經得到了探索。EIG超級電容器在0.1 mA cm-2時顯示出67.1 mF cm-2的令人印象深刻的特定面積電容。

此外，EIG在-40℃時表現(xiàn)出理想的、生態(tài)友好的光熱除冰能力。這種方法在追求快速、簡單和低成本的三維石墨烯制造和多學科應用的概念方面表現(xiàn)出廣泛的適用性。

這是高能電子束首次被用于直接合成石墨烯。 

原標題：重要突破！我國學者首次采用高能電子束直接高效合成宏觀厚度三維多孔石墨烯晶體膜