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TOPCon電池的核心工序存在多條技術(shù)路線。TOPCon電池的制備工序包括清洗制絨、正面硼擴(kuò)散、刻蝕去硼硅玻璃（BSG）和背結(jié)、氧化層鈍化接觸制備、正面氧化鋁/氮化硅沉積、背面氮化硅沉積、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)和測(cè)試。其中，氧化層鈍化接觸制備為T(mén)OPCon在PERC的基礎(chǔ)上增加的工序，也是TOPCon的核心工序，目前主要有4種技術(shù)路線：

（1）LPCVD本征+磷擴(kuò)。利用LPCVD設(shè)備生長(zhǎng)氧化硅層并沉積多晶硅，再利用擴(kuò)散爐在多晶硅中摻入磷制成PN結(jié)，形成鈍化接觸結(jié)構(gòu)后進(jìn)行刻蝕。

（2）LPCVD離子注入。利用LPCVD設(shè)備制備鈍化接觸結(jié)構(gòu)，再通過(guò)離子注入機(jī)精準(zhǔn)控制磷在多晶硅中的分布實(shí)現(xiàn)摻雜，隨后進(jìn)行退火處理，最后進(jìn)行刻蝕。

（3）PECVD原位摻雜。利用PECVD設(shè)備制備隧穿氧化層并對(duì)多晶硅進(jìn)行原位摻雜。

（4）PVD原位摻雜。利用PVD設(shè)備，在真空條件下采用濺射鍍膜，使材料沉積在襯底表面。

LPCVD最為成熟，PECVD、PVD能夠解決繞鍍問(wèn)題但優(yōu)缺點(diǎn)各異。LPCVD工藝路線目前較為成熟，原理是在低壓高溫狀態(tài)下使氣態(tài)化合物發(fā)生分解，進(jìn)而沉積在襯底表面形成所需薄膜。工藝控制簡(jiǎn)單容易，成膜的均勻性好、致密度高，但成膜速率較慢，需要高溫，且石英件沉積較為嚴(yán)重，而普遍存在的繞鍍現(xiàn)象需要額外引入刻蝕設(shè)備解決，進(jìn)一步增加了工藝復(fù)雜度。不同于LPCVD使用熱能激活，PECVD利用微波、射頻等含有薄膜組成原子的氣體形成局部等離子體，憑借等離子氣體的高活性在襯底表面沉積所需的薄膜。其優(yōu)勢(shì)在于成膜速率很快，繞鍍很小，但鈍化膜的均勻性難以控制，還可能存在氣泡，導(dǎo)致鈍化效果不佳。PVD與CVD不同，采用物理沉積，不存在繞鍍現(xiàn)象，且成膜速率快，但是目前工藝較不成熟，所需設(shè)備價(jià)格昂貴，靶材用量很大，且方阻均勻性差，生成的電池質(zhì)量不穩(wěn)定。


原標(biāo)題：TOPCon電池核心工序的四條技術(shù)路線