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2024年6月18日消息，天眼查知識產權信息顯示，晶科能源（上饒）有限公司申請一項名為“四結晶硅太陽能電池與光伏組件“，公開號CN202410205442.3，申請日期為2024年2月。

專利摘要顯示，本申請涉及光伏技術領域，尤其涉及一種四結晶硅太陽能電池與光伏組件，包括晶硅基底，晶硅基底的正面設有電極區(qū)域，電極區(qū)域依次層疊設置有第一擴散層、第一隧穿介質層和第一摻雜層，背面依次層疊設置有第二擴散層、第二隧穿介質層和第二摻雜層；第一摻雜層與第一擴散層形成電子高低結，第一擴散層與晶硅基底形成同向結，晶硅基底與第二擴散層形成異向結，第二擴散層與第二摻雜層形成空穴高低結。本申請通過電子高低結和空穴高低結的設置，提高了勢壘高度，較高的勢壘高度可以有效減少空穴從P型區(qū)域移動至N型區(qū)域，減少電子與空穴的界面復合損失，促進光生載流子的分離，即提高了四結晶硅太陽能電池的開路電壓的同時，電子傳輸、收集的效率高。 

原標題：晶科能源申請四結晶硅太陽能電池與光伏組件專利，提高了四結晶硅太陽能電池的開路電壓的同時，電子傳輸、收集的效率高