編者那:江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司技術(shù)服務(wù)部經(jīng)理黃春來作《GCL鑄錠單晶技術(shù)進(jìn)展》報(bào)告。他認(rèn)為,鑄錠單晶產(chǎn)品兼具多、單晶技術(shù)優(yōu)點(diǎn),和Cz單晶相比,將為客戶帶來更多價(jià)值。
“更低氧含量、更低衰減、無缺角,鑄錠單晶產(chǎn)品性價(jià)比優(yōu)勢明顯”,7月27日,在上海市太陽能學(xué)會(huì)年會(huì)暨先進(jìn)技術(shù)集成研討會(huì)上,江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司技術(shù)服務(wù)部經(jīng)理黃春來作《GCL鑄錠單晶技術(shù)進(jìn)展》報(bào)告。他認(rèn)為,鑄錠單晶產(chǎn)品兼具多、單晶技術(shù)優(yōu)點(diǎn),和Cz單晶相比,將為客戶帶來更多價(jià)值。
黃春來認(rèn)為,多晶鑄錠硅片產(chǎn)品技術(shù)優(yōu)勢為高產(chǎn)能、低光衰、低封裝損失;Cz單晶產(chǎn)品轉(zhuǎn)換效率高、位錯(cuò)密度低、可以采用堿制絨工藝,采用鑄錠方法生產(chǎn)的單晶硅片兼具二者技術(shù)優(yōu)勢。下游客戶使用反饋,疊加PERC技術(shù)后,鑄錠單晶與Cz單晶效率差僅為0.18%,而成本大幅降低。
“鑄錠單晶產(chǎn)品的低光衰源于鑄錠工藝特性和摻鎵技術(shù)”,黃春來表示,數(shù)據(jù)顯示,常規(guī)硼摻雜鑄錠單晶硅片的氧含量僅為Cz單晶硅片的40%,可顯著降低硼氧復(fù)合導(dǎo)致的光致衰減;另一方面,鑄錠單晶通過采用鎵元素部分代替硼元素,可以從源頭上減少硼氧復(fù)合體的產(chǎn)生,光衰比Cz單晶產(chǎn)品低0.5%以上,長期發(fā)電量更高。
黃春來表示,鑄錠單晶硅片還可以更好的兼容下游終端產(chǎn)品,其平臺(tái)技術(shù)可自由疊加半片、疊瓦、雙玻雙面等電池和組件技術(shù),由于不存在缺角,半片組件比Cz單晶組件更美觀;在不允許缺角的疊瓦組件制造時(shí),其硅片面積100%可利用,比Cz單晶面積大2%。高效鑄錠單晶組件(60片)可以封裝到310瓦。
以Cz單晶組件為基準(zhǔn),黃春來測算了鑄錠單晶組件的度電成本。數(shù)據(jù)顯示,在同功率輸出的條件下,鑄錠單晶組件價(jià)格比Cz單晶低0.06元/瓦,度電成本低0.006元/度。
黃春來介紹,保利協(xié)鑫2011年即開始研究鑄錠單晶技術(shù),已經(jīng)發(fā)布第三代產(chǎn)品。目前,保利協(xié)鑫鑄錠熱場工藝、錠檢設(shè)備、產(chǎn)品品質(zhì)全面升級,對稱性熱場,分段式加熱控制有效降低位錯(cuò),實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)整錠單晶。繼金剛線切黑硅片之后,鑄錠單晶硅片將成為對市場有重大影響的差異化產(chǎn)品。