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金剛線添加劑原理及調(diào)試方法
日期:2019-04-28   [復(fù)制鏈接]
責(zé)任編輯:sx_liuyu 打印收藏評論(0)[訂閱到郵箱]
編者按:通過金剛線添加劑對金剛線多晶硅片的制絨實(shí)驗(yàn),本文不僅總結(jié)出金剛線添加劑降低制絨反射率的原理,還歸納出不同金剛線添加劑量所需的最佳HF/HNO3/DI初配及自動(dòng)補(bǔ)加的調(diào)試方法。

引言:隨著金剛線切割技術(shù)的發(fā)展及單多晶競爭的日益激烈,預(yù)計(jì)2019年前多晶硅片將全部由砂漿線切割轉(zhuǎn)變?yōu)榻饎偩€切割。不過由于金剛線切割多晶硅片的損傷層淺、線痕明顯等問題,常規(guī)砂漿線的酸制絨難以在其表面刻蝕出有效的減反射絨面。目前,針對金剛線多晶硅片制絨的難題,主要解決辦法包括:金剛線直接添加劑法、干法黑硅(RIE)及濕法黑硅(MCCE)等,由于RIE和MCCE成本及工藝等原因,目前大多數(shù)企業(yè)以金剛線直接添加劑法制備金剛線切割多晶硅片的減反射絨面,當(dāng)然由于添加劑法制備的電池轉(zhuǎn)換效率低等因素,決定其只是金剛線切割多晶硅片全面推廣的一個(gè)過渡階段。

金剛線添加劑制絨原理

金剛線切割多晶硅片利用二維切割方法,通過電鍍或樹脂固定的方法將金剛石顆粒鑲嵌在不銹鋼絲上,直接利用其高速運(yùn)轉(zhuǎn)對硅片進(jìn)行磨削切割,具有切割效率高、環(huán)保、適合于薄片切割及硅料利用率高等優(yōu)點(diǎn),但表面損傷層淺且有較多粗線痕;砂漿線切割多晶硅片利用三維切割方法,采用不銹鋼絲將SiC微粉及聚乙二醇等帶入切割區(qū)進(jìn)行磨削切割的方法,具有表面損傷層較深且基本無線痕優(yōu)勢,但產(chǎn)量低、硅料損耗大、環(huán)境污染大等。由于金剛線多晶硅片與砂漿線硅片損傷層等差異較大,因此利用砂漿線酸制絨的方法對金剛線多晶硅片進(jìn)行制絨時(shí)反射率達(dá)到28%左右,平均Eta比常規(guī)砂漿線低0.2%左右,主要是由于其制絨后反射率過高,從而導(dǎo)致Isc下降。

目前,許多添加劑廠家都開發(fā)出金剛線切割多晶硅片用添加劑,可以直接用砂漿線多晶硅片的酸制絨機(jī)臺,制絨后反射率比砂漿線高2%左右,轉(zhuǎn)換效率約比砂漿線低0.05%,成本低且與產(chǎn)線100%兼容。一般來說,按照金剛線添加劑廠家建議的HF/HNO3/DI初配,沒有加入添加劑時(shí)減重較高,反應(yīng)較劇烈,氣泡較大較少,反射率高,絨面會較大較淺;加入添加劑后減重會明顯降低,反應(yīng)變慢,但氣泡較小較多,反射率變低,表面整體變暗,絨面普遍較小較深,這是因?yàn)椋航饎偩€添加劑會降低制絨藥液的表面張力,有利于氣泡、反應(yīng)的含硅絡(luò)合物等形成的"掩膜"脫離硅片表面,尤其是對硅片底部的作用效果較為顯著,因此在金剛線添加劑作用下促進(jìn)絨面縱向發(fā)展,這樣制絨時(shí)縱向反應(yīng)速度與橫向反應(yīng)速度差異比無金剛線添加劑時(shí)小很多,從而有利于硅片的絨面變小變深,達(dá)到降低反射率的目的。由此表明:金剛線添加劑首先是抑制制絨反應(yīng)的進(jìn)行,使得整體反應(yīng)速度變慢,同時(shí)通過控制絨面寬度和深度降低反射率,達(dá)到陷光效果。下圖即為有無金剛線添加劑條件下3D絨面照片,對比可發(fā)現(xiàn):有金剛線添加劑時(shí)絨面明顯更小,出絨率更多,這是由于添加劑相對促進(jìn)硅片縱向反應(yīng)的結(jié)果。

金剛線直接添加劑法所需HF/HNO3理想配比的實(shí)現(xiàn)方法

目前各廠家金剛線添加劑直接制絨法的初配比例差異較大,一方面是由于市場上金剛添加劑的種類繁多,添加劑配方差異較大;另一方面是因?yàn)槎鄶?shù)添加劑及電池廠家都僅在常規(guī)砂漿線多晶硅片初配的基礎(chǔ)上進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整,并沒有調(diào)試出一個(gè)很好的初配比例,這樣會造成制絨后的反射率難以達(dá)到添加劑所能達(dá)到的最低值,不利于提高電池的轉(zhuǎn)換效率,同時(shí)會造成大量HF和HNO3的浪費(fèi)。

根據(jù)金剛線添加劑特性及原理,我認(rèn)為任何一款金剛線添加劑都只是相對的降低制絨反射率,因此都有其所能達(dá)到的最低反射率。如果金剛線添加劑的用量偏少而HF/HNO3用量過多,不僅會造成化學(xué)品的浪費(fèi),而且很難達(dá)到降低金剛線多晶硅片制絨反射率的目的。尤其是HNO3對反射率較為敏感,HNO3稍多就會造成表面發(fā)白,反射率迅速增加,HF過多會造成黑絨及整體反應(yīng)加速等現(xiàn)象。如果添加劑用量偏多,不僅造成其浪費(fèi),還不利于提高電池轉(zhuǎn)換效率(金剛線添加劑含有有機(jī)物等),同時(shí)也難以界定HF/HNO3用量是否達(dá)到合適配比,不利于獲得更低的制絨反射率。因此,我認(rèn)為金剛線添加劑制絨初配時(shí)首先需要考慮合適的金剛線添加劑的用量,然后通過工藝調(diào)整得到最佳的HF/HNO3/DI配比,這樣才能得到最低的反射率,提高金剛線多晶電池的Isc和Eta。

那么,怎么通過調(diào)試獲得最佳的工藝配比呢?通過金剛線添加劑實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn):在適當(dāng)?shù)某跖浔壤?,可通過逐步的工藝調(diào)整得到理想藥液配比(包括添加劑量,HF、HNO3及DI用量,甚至帶速、溫度等、循環(huán)流量等)。工藝調(diào)試過程中遵循單一變量的原則,并重點(diǎn)監(jiān)控絨面、反射率(表面敏感程度)、減重及外觀黑絲狀況等參數(shù),通過每次工藝調(diào)整后各監(jiān)控參數(shù)的變化分析藥液中各化學(xué)品量狀態(tài)(過量還是少量),尤其注意一些突變性的變化,這有助于快速幫助我們把握某些化學(xué)品的量是否適宜。配合對金剛線添加劑原理的理解及各種化學(xué)品的作用,可建立一個(gè)金剛線多晶硅片制絨反應(yīng)的模型,通過對工藝調(diào)試過程中各監(jiān)控參數(shù)變化進(jìn)行邏輯推理,可得到理想的金剛線添加劑藥液配比。針對不同用量的金剛線添加劑,可調(diào)試出不同的相適宜的HF/HNO3/DI配比,同時(shí)此方法亦可調(diào)試出最佳的HF/HNO3自動(dòng)補(bǔ)加比例。

總結(jié):由于單多晶的成本競爭日趨激烈,低成本的金剛線多晶硅片已迅速取得砂漿線多晶硅片,受限于濕法黑硅及干法黑硅技術(shù)及成本壓力,目前大多數(shù)電池廠商利用金剛線添加劑解決金剛線多晶硅片制絨難問題。雖然添加劑制備的電池轉(zhuǎn)換效率低,但最近1-2年金剛線添加劑還是會成為解決制絨難題的主要方法,因此作為電池技術(shù)人員理解金剛線添加劑制絨原理并通過工藝調(diào)整得到最近的制絨反射率及最佳的藥液配比十分重要。通過自身的實(shí)驗(yàn)經(jīng)驗(yàn)及相關(guān)文獻(xiàn),本文總結(jié)了金剛線添加劑制絨的原理及理想配比的調(diào)試方法,借此拋磚引玉,希望得到各位行業(yè)同仁的批評與指正。

原標(biāo)題:金剛線添加劑原理及調(diào)試方法
 
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來源:摩爾光伏
 
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