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編者按：在9月5日在杭州舉行的 CITPV中國(guó)國(guó)際光伏技術(shù)論壇上，榮德新能源常傳波指出鑄錠技術(shù)效率提升空間較大。未來(lái)，鑄錠技術(shù)的細(xì)節(jié)化工藝很重要，這直接影響到硅片尺寸和轉(zhuǎn)換效率。

9月5日，2019 CITPV中國(guó)國(guó)際光伏技術(shù)論壇在杭州舉行。榮德新能源科技有限公司技術(shù)研發(fā)部高級(jí)經(jīng)理常傳波指出，鑄錠技術(shù)效率提升仍有較大空間，相比直拉單晶，鑄錠單晶規(guī)模生產(chǎn)歷史短，技術(shù)研發(fā)和實(shí)際運(yùn)營(yíng)投入都相差很多，但目前結(jié)果已證明鑄錠單晶具備產(chǎn)品更完美，性價(jià)比更高的能力。

常傳波介紹了鑄錠技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)和應(yīng)用研究，“鑄錠技術(shù)歷經(jīng)常規(guī)多晶－準(zhǔn)單晶－高效多晶－鑄錠單晶的階梯式發(fā)展；對(duì)于鑄錠技術(shù)，無(wú)所謂多晶還是單晶，只是在不同時(shí)期生產(chǎn)不同的更高性價(jià)比的產(chǎn)品。”

在鑄錠技術(shù)的起源與產(chǎn)業(yè)化發(fā)展方面，常傳波表示，Ciszek 早在1979年就提出在坩堝底部鋪設(shè)籽晶的方法生產(chǎn)鑄造單晶硅，2006年BP Solar第一次證實(shí)可以在工業(yè)化的尺寸上生產(chǎn)鑄造單晶硅。

在誕生之初，鑄錠技術(shù)因?yàn)樾詢r(jià)比優(yōu)勢(shì)迅速占領(lǐng)市場(chǎng)，投料量大，單位電耗低，單晶公斤電耗60度，多晶公斤電耗10度（2009年），硅料容忍度寬，克服硅料短缺困難，操作易上手，更易規(guī)?；a(chǎn)。但傳統(tǒng)鑄造多晶晶粒不受控，并伴隨大量孿晶，日本學(xué)者提出枝晶形核技術(shù)，未能產(chǎn)業(yè)化，學(xué)術(shù)界有報(bào)道大晶粒技術(shù)，產(chǎn)業(yè)化實(shí)驗(yàn)未見明顯提升，后被放棄。2010-2011年，準(zhǔn)單晶／類單晶產(chǎn)品興起，效率分布寬，單晶面積低＆有晶花硅片市場(chǎng)接受度低等問(wèn)題始終未能得到根本解決，2012年逐漸被放棄。

2012年起，高效多晶因?yàn)槠湫侍嵘€(wěn)定，成本增加少迅速取代傳統(tǒng)鑄造多晶和準(zhǔn)單晶產(chǎn)品。“以形核／孵化材料不同區(qū)分半熔和全熔，半熔高效多晶形核材料為同質(zhì)多晶硅，全熔高效多晶形核材料為異質(zhì)材料如SiO2／SiC等。”

在這個(gè)過(guò)程當(dāng)中榮德新能源創(chuàng)立了全熔和半熔技術(shù)。“與半熔相比，榮德獨(dú)創(chuàng)的全熔高效技術(shù)除了具有成本優(yōu)勢(shì)外，高效多晶效率差距和單晶始終保持在1．5％以內(nèi)。在晶?？刂品矫?，全熔高效和半熔高效隨機(jī)晶界比例一致，批產(chǎn)效率和效率極限都沒有區(qū)別，重點(diǎn)在于工藝管控。”

盡管新一代鑄錠單晶技術(shù)具有媲美單晶的位錯(cuò)表現(xiàn)，效率差距＜0．3％，硅料容忍度高，光衰更低，公斤電耗相比單晶低，方片無(wú)倒角更適合半片、疊瓦等特點(diǎn)，但也面臨效率絕對(duì)值及集中度不夠，成本競(jìng)爭(zhēng)力，切片良率，需要規(guī)?；a(chǎn)加快成本下降速率和品質(zhì)穩(wěn)定提升等挑戰(zhàn)。

常傳波表示，榮德的鑄錠單晶產(chǎn)品目前已批量生產(chǎn)，166甚至更大尺寸的鑄錠單晶性價(jià)比優(yōu)勢(shì)更大，組件功率與單晶差距5－10W，最新結(jié)果基本可控制在5W以內(nèi)。

對(duì)于未來(lái)多晶技術(shù)發(fā)展的展望，常傳波認(rèn)為，鑄錠技術(shù)效率提升仍有較大空間，細(xì)節(jié)化的工藝控制很重要，消除爐臺(tái)差異等；鑄錠技術(shù)更容易提升硅片尺寸，更容易提升組件功率。 

原標(biāo)題：常傳波：鑄錠技術(shù)效率仍有較大提升空間