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（四）現(xiàn)有光伏制造企業(yè)及項(xiàng)目產(chǎn)品應(yīng)滿足以下要求：

1.多晶硅滿足《太陽能級多晶硅》（GB/T25074）1 級

品的要求；

2.多晶硅片（含準(zhǔn)單晶硅片）少子壽命大于2μs，碳、氧含量分別小于16和14PPMA；單晶硅片少子壽命大于10μs，碳、氧含量分別小于2和18PPMA；

3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于17.5%和18.5%；

4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于15.5%和16%；

5.硅基、銅銦鎵硒（CIGS）、碲化鎘（CdTe）及其他薄膜電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于8%、11%、11%、10%。

6.含變壓器型的并網(wǎng)光伏逆變器中國加權(quán)效率不得低于96%，不含變壓器型的并網(wǎng)光伏逆變器中國加權(quán)效率不得低于98%。

（五）新建和改擴(kuò)建企業(yè)及項(xiàng)目產(chǎn)品應(yīng)滿足以下要求：

1.多晶硅滿足《硅多晶》（GB/T12963）2級品以上要求；

2.多晶硅片（含準(zhǔn)單晶硅片）少子壽命大于2.5μs，碳、氧含量分別小于8和6PPMA；單晶硅片少子壽命大于11μs，碳、氧含量分別小于1和16PPMA；

3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于18.5%和20%；

4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于16.5%和17.5%；

5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于12%、13%、13%、12%。

（六）多晶硅電池組件和單晶硅電池組件衰減率在1年內(nèi)分別不高于2.5%和3%，25 年內(nèi)不高于20%；薄膜電池組件衰減率在1年內(nèi)不高于5%，25 年內(nèi)不高于20%。

三、資源綜合利用及能耗

（一）光伏制造企業(yè)和項(xiàng)目用地應(yīng)符合國家已出臺(tái)的土地使用標(biāo)準(zhǔn)，嚴(yán)格保護(hù)耕地，節(jié)約集約用地。

（二）光伏制造項(xiàng)目能耗應(yīng)滿足以下要求：

1.現(xiàn)有多晶硅項(xiàng)目還原電耗小于65千瓦時(shí)/千克，綜合電耗小于120 千瓦時(shí)/千克；新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目還原電耗小于55千瓦時(shí)/千克，綜合電耗小于100 千瓦時(shí)/千克；

2.現(xiàn)有硅錠項(xiàng)目平均綜合能耗小于8.5千瓦時(shí)/千克，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于7 千瓦時(shí)/千克；如采用多晶鑄錠爐生產(chǎn)準(zhǔn)單晶或高效多晶產(chǎn)品，項(xiàng)目平均綜合能耗的增加幅度不得超過0.5 千瓦時(shí)/千克；

3.現(xiàn)有硅棒項(xiàng)目平均綜合能耗小于45千瓦時(shí)/千克，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于40千瓦時(shí)/千克；

4.現(xiàn)有多晶硅片項(xiàng)目平均綜合能耗小于45萬千瓦時(shí)/百萬片，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于40萬千瓦時(shí)/百萬片；現(xiàn)有單晶硅片項(xiàng)目平均綜合耗小于40 萬千瓦時(shí)/百萬片，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于35 萬千瓦時(shí)/百萬片；

5.電池項(xiàng)目平均綜合能耗小于12萬千瓦時(shí)/MWp；