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圖3（a）所示的是d1約為80μm時(shí)鋁層下形成的共晶層。圖3（b）所示的是硅的濃度，符合以LCO為基礎(chǔ)的高斯擬合，左邊和右邊都減小到預(yù)計(jì)的擴(kuò)散極限375μm。從高斯擬合來看，最大濃度代表了27個(gè)計(jì)數(shù)，而擴(kuò)散極值處（d2-d1）/2的濃度大約代表了3個(gè)計(jì)數(shù)。在硅的擴(kuò)散區(qū)間（距離LCO375μm）中，對于高燒結(jié)峰值溫度950℃，C[（d2-d1）/2]/C0=11.11%的硅濃度一直呈現(xiàn)在鋁層中，BSF同樣是在這樣的接觸下形成，深達(dá)8μm。

圖3（c）所示的是在這樣的接觸下沒有形成共晶層而是形成了空穴。這種情況下，鋁被儲(chǔ)存在一個(gè)寬廣的接觸開縫（d1約為125μm）而且在高燒結(jié)峰值溫度下燒結(jié)（迅速冷卻）。通常在這種樣品的LCO中會(huì)存在空穴，這是由于冷卻時(shí)時(shí)間太短。圖3（d）所示的是存在空穴的樣品中鋁層中的硅成分，描述了在接觸開縫的中心和距離接觸開縫中心大于150μm的兩個(gè)極大值處更高濃度形成的不規(guī)則形式。這種現(xiàn)象可以由硅和鋁之間的接觸形成的以下模型解釋。

硅-鋁層的形成從鋁的熔化開始。液體鋁浸潤電介質(zhì)的開縫的硅表面，然后硅在鋁層中溶解，硅中鋁滲透的深度是關(guān)于溫度和鋁球直徑的函數(shù)。在燒結(jié)峰值溫度為950℃時(shí)，滲透深度是20μm，如圖3（a）和圖3（c）所示。因?yàn)楣柙阡X中的溶解度比鋁在硅中的溶解度要高，所以硅原子在鋁中擴(kuò)散的體積比鋁原子在硅中的大。如果燒結(jié)峰值溫度太高，擴(kuò)散會(huì)加快，而且硅在鋁層中擴(kuò)散的會(huì)更深。界面處，首先鋁直接和大部分硅接觸，并處于飽和狀態(tài)，然后硅擴(kuò)散過程從大量的液體鋁質(zhì)量的橫向界面的邊界（沒有飽和的硅）開始，幾秒過后，在距離接觸面大于370μm的鋁層中可以發(fā)現(xiàn)大量的硅原子。P型硅（BSF）在滲透時(shí)大量鋁原子的出現(xiàn)直接變換了鄰近表面，一旦燒結(jié)峰值溫度達(dá)到最大值，液體溶解就會(huì)達(dá)到飽和。