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當(dāng)接觸面積太大時(shí)，更多的存在鋁粒子的硅表面相互作用，位于界面中間部分的熔融物會(huì)迅速飽和。此外，在很高的燒結(jié)峰值溫度（迅速冷卻）下，合金化過(guò)程中熔融物可能會(huì)產(chǎn)生高彈性應(yīng)力場(chǎng)?？驴系?tīng)栃?yīng)解釋了兩種原子擴(kuò)散的比率是不同的，硅鋁相互擴(kuò)散產(chǎn)生的空穴可能在熔融中合并，柯肯德?tīng)柨昭ǖ漠a(chǎn)生和集合代替了共熔合金。

通過(guò)冷卻樣品，液相中硅的成分不得不隨著雙液曲線減少。但是由于空穴的存在只有LCO的邊界仍然與鋁層直接相關(guān)，到達(dá)共熔溫度時(shí)，遠(yuǎn)離接觸面的位置沒(méi)有更多分離的硅，全部保持液體凝固狀態(tài)，在鋁中就會(huì)存在高濃度的硅[如圖3（d）所示]。如果鋁和硅的反應(yīng)只在d2中發(fā)生，那么深灰色區(qū)域就會(huì)被限制，在鋁中硅的傳播會(huì)達(dá)到擴(kuò)散極限，所以由于擴(kuò)散的菲克定律，很明顯會(huì)隨著與界面中心的距離呈指數(shù)遞減。

因?yàn)樵谝簯B(tài)鋁中硅的擴(kuò)散，大量的鋁會(huì)在電介質(zhì)開(kāi)縫的一邊重疊，起到一個(gè)優(yōu)化的金屬半導(dǎo)體作用。由于接觸電阻的減少和BSF的均質(zhì)化，鋁很明顯在狹窄的電介質(zhì)開(kāi)縫中重疊。我們認(rèn)為分散的硅的最大的傳播極限（d2）決定了鋁金屬化的最小寬度，條件是有最好的接觸和全部是BSF構(gòu)造，所以d2決定鋁的層疊。同樣，指間距也由絲網(wǎng)印刷鋁層（LP≥d2）中硅的傳播極限決定。鋁層疊的另一個(gè)應(yīng)用可能應(yīng)用在相互交叉的背接觸的n型硅太陽(yáng)能電池中，可得到高質(zhì)量的絲網(wǎng)印刷的鋁合金發(fā)射極。

總之，本文的研究在絲網(wǎng)印刷中對(duì)鋁粉漿和硅接觸有了更深的理解。在絲網(wǎng)印刷中，當(dāng)燒結(jié)的峰值溫度在750℃-950℃范圍內(nèi)，鋁層中硅的傳播的增長(zhǎng)速度為（1.50±0.06）μm/℃。電介質(zhì)的一邊上，硅的橫向傳播極限不受接觸面積大小的影響，但是會(huì)受到燒結(jié)溫度的影響。當(dāng)燒結(jié)溫度為750℃、850℃和950℃時(shí)，硅的橫向傳播極限預(yù)計(jì)分別是75μm、225μm和375μm。所以，鋁接觸的寬度可能由鋁層中擴(kuò)散硅的最大傳播極限決定。本文認(rèn)為觸點(diǎn)間距應(yīng)該等于或大于鋁中擴(kuò)散硅的最大傳播極限，此外柯肯德?tīng)栃?yīng)可以解釋鋁接觸中空穴的產(chǎn)生。這些結(jié)果可以應(yīng)用于工業(yè)上優(yōu)化高效絲網(wǎng)印刷背接觸太陽(yáng)能電池和背鈍化太陽(yáng)能電池。