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這次主要想寫寫這個正銀的邊界約束條件及各個關(guān)鍵節(jié)點的判斷標準，如此我們就會有一套正銀應(yīng)遵循的框架體系及各類問題的判斷標準及合理解釋，當然這套體系僅為我一家之見，寫在這兒和大家共同探討印證，以期辨明真相大家受益。

正銀作為正面電極如果說大的原則那就只有一個即在滿足導(dǎo)電的前提下盡可能少的對電池本身造成損傷。由這個原則我們就會推出盡可能少的損傷有兩方面，一個是遮蓋面積要少對應(yīng)的是柵線要細，目前大家認為這個基本都到了絲網(wǎng)印刷的極限，但從金屬化會議大佬的推測來看還沒有，還可能在目前的基礎(chǔ)上再降一半的，具體如何我們拭目以待。而另一個方面就是為大家一直所探討的柵線下面的歐姆接觸問題了，也是大家做文章的地方。

對于這個歐姆接觸問題我們又有一個判斷標準那就是在滿足這個歐姆接觸的前提下，那個柵線下面的納米膠體通道也盡可能的少，這樣也是在滿足大前提對電池的損傷最小原則。這個盡可能少如何判斷呢，這個我們無法從哪些復(fù)雜的半導(dǎo)體公式推導(dǎo)時可以有一個簡便的方法就是以杜邦的產(chǎn)品為標準，把那個柵線用焊帶拉開，仔細觀察下你那個產(chǎn)品和杜邦產(chǎn)品的對硅片的腐蝕情況，國內(nèi)有公司就是靠這點來現(xiàn)場調(diào)整工藝的。而要滿足這個銀納米膠體通道最少原則則每個納米膠體通道就要導(dǎo)電能力強且要均勻分布，均勻分布是你制造工藝的問題，而導(dǎo)電能力強又是一個銀納米膠體顆粒多少的問題，這個問題的前提就會演化為玻璃體系溶銀能力的問題，即溶銀能力一定要強這個是前提，也是玻璃體系不斷變化的因。有了這個前提才會有你后面控制降溫段顆粒大小及晶體異常長大的問題。只要你的體系溶銀能力不錯而降溫時能有效控制膠體顆粒大小及分布同時抑制結(jié)晶顆粒的異常長大，那么你基本上就做出一款好正銀了。對于歐姆接觸還有一個要討論的就是第五主族參雜的問題，這個在目前電池形式下是無法通過正銀實現(xiàn)的，而對于埃伯樂公司那個銀銻合金原理那是在無鈍化層的光片上可以實現(xiàn)的。

以上討論基本就是正銀的邊界約束條件，下面我們看看各個關(guān)鍵節(jié)點的判斷標準及各類現(xiàn)象解釋。